| 主权项 |
1.一种制备无水及纯含羟基聚合物溶液之液相方 法,其包括下到步骤: (A)在第一种溶剂中引发剂的存在下,于自约30℃至 约100℃之温度下,聚合一或多个选自经取代苯乙烯 、烷基丙烯酸酯、一或多个乙烯系不饱和可共聚 合单体及其混合物之群的单体一段至少1分钟之足 够时间,以形成聚合物及第一种溶剂混合物; (B)藉分馏纯化该聚合物及第一种溶剂混合物,其中 另外加入第一种溶剂至该混合物中,该混合物系加 热至该第一种溶剂之沸点及/或搅拌至少1分钟,令 混合物沈降,倾析第一种溶剂并另外加入第一种溶 剂,重复此分馏至少一次,因而使该留下之聚合物 之多分散度为2.0或更低; (C)转酯化该步骤(B)之已纯化混合物,其中该混合物 系在触媒的存在下于该第一种溶剂之沸点回流一 段至少1分钟之足够的时间,及,于自约50℃至约200 ℃之温度下以形成包含含羟基聚合物及第一种溶 剂之反应混合物; (D)纯化该步骤(C)之反应混合物,其中第二种溶剂系 与该反应混合物混合,其中该第二种溶剂是不互溶 的,令这些层分离并移出该第二种溶剂及任何溶解 的副产物和溶解其中之低重量平均分子量聚合物; (E)令该步骤(D)之已纯化反应混合物通过离子交换 材料,以自其除去任何触媒,并因此提供一实质上 无触媒之含烃基聚合物溶液; (F)在该步骤(E)之含羟基聚合物溶液中,加入与光阻 互容之第三种溶剂,然后在至少该第一种溶剂之沸 点的温度下蒸掉第一种溶剂一段足够时间以除去 实质上所有该第一种溶剂,提供实质上纯含羟基聚 合物溶于该第三种溶剂之溶液。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二种溶剂 系选自己烷、庚烷、辛烷、石油醚、石油英、低 碳数烷基卤基烃及其混合物组成之群。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二种溶剂 是庚烷,该第三种溶剂是与光阻互容的溶剂。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中在步骤(F)之后 有一附加步骤,其中令实质上纯含羟基聚合物溶液 进行缩醛化作用,其中该含羟基聚合物溶液系在酸 触媒的存在下与乙烯基醚反应一段足够时间,并在 足够的温度及压力下形成缩醛衍生含羟基聚合物 溶液。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中在形成该缩醛 衍生含羟基聚合物溶液之后有一附加步骤,其中该 溶液系被中和以消除其酸性。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中在中和步骤之 后有一附加步骤,其中将光酸产生剂加入该已中和 之缩醛衍生含羟基聚合物溶液,以直接产生化学放 大阻抗组合物溶液。 7.如申请专利范围第1项之方法,其中单体是乙醯氧 基苯乙烯单体或丙烯酸酯单体,或其混合物。 8.一种制备无水及纯含羟基聚合物溶液之液相方 法,其包括下列步骤: (A)在第一种溶剂中引发剂的存在下,于自约30℃至 约100℃之温度下,聚合一或多个选自经取代苯乙烯 、烷基丙烯酸酯、一或多个乙烯系不饱和可共聚 合单体及其混合物之群的单体一段至少1分钟之足 够时间,以形成聚合物及第一种溶剂混合物; (B)转酯化该步骤(A)之混合物,其中该混合物系在触 媒的存在下于该第一种溶剂之沸点回流一段至少1 分钟之足够的时间,及,于自约50℃至约200℃之温度 下以形成包含含羟基聚合物及第一种溶剂之反应 混合物; (C)纯化该步骤(B)之反应混合物,其中第二种溶剂系 与该反应混合物混合,其中该第二种溶剂是不互溶 的,令这些层分离并移出该第二种溶剂及任何溶解 的副产物和溶解其中之低重量平均分子量聚合物; (D)令该步骤(C)之已纯化反应混合物通过离子交换 材料,以自其除去任何触媒,并因此提供一实质上 无触媒之含烃基聚合物溶液; (E)在该步骤(D)之含羟基聚合物溶液中,加入与光阻 互容之第三种溶剂,然后在至少该第一种溶剂之沸 点的温度下蒸掉第一种溶剂一段足够时间以除去 实质上所有该第一种溶剂,提供实质上纯含羟基聚 合物溶于该第三种溶剂之溶液。 9.如申请专利范围第8项之方法,其中步骤A所制得 之聚合物系至少约40重量%溶于该第一种溶剂中。 10.如申请专利范围第8项之方法,其中该第二种溶 剂系选自己烷、庚烷、辛烷、石油醚、石油英、 低碳数烷基卤基烃及其混合物组成之群。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中该第二种溶 剂是庚烷,该第三种溶剂是与光阻互容的溶剂。 12.如申请专利范围第8项之方法,其中在步骤(F)之 后有一附加步骤,其中令实质上纯含羟基聚合物溶 液进行缩醛化作用,其中该含羟基聚合物溶液系在 酸触媒的存在下与乙烯基醚反应一段足够时间,并 在足够的温度及压力下形成缩醛衍生含羟基聚合 物溶液。 13.如申请专利范围第12项之方法,其中在形成该缩 醛衍生含羟基聚合物溶液之后有一附加步骤,其中 该溶液系被中和以消除其酸性。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中在中和步骤 之后有一附加步骤,其中将光酸产生剂加入该已中 和之缩醛衍生含羟基聚合物溶液,以直接产生化学 放大阻抗组合物溶液。 15.如申请专利范围第8项之方法,其中单体是乙醯 氧基苯乙烯单体或丙烯酸酯单体,或其混合物。 16.一种制备无水及纯含羟基聚合物溶液之液相方 法,其包括下列步骤: (A)在第一种溶剂中引发剂的存在下,于自约30℃至 约100℃之温度下,聚合一或多个选自经取代苯乙烯 、烷基丙烯酸酯、一或多个乙烯系不饱和可共聚 合单体及其混合物之群的单体一段至少1分钟之足 够时间,以形成聚合物及第一种溶剂混合物; (B)纯化该步骤(A)之反应混合物,其中第二种溶剂系 与该反应混合物混合,其中该第二种溶剂是不互溶 的,令这些层分离并移出该第二种溶剂及任何溶解 的副产物和溶解其中之低重量平均分子量聚合物; (C)转酯化该步骤(B)之混合物,其中该混合物系在触 媒的存在下于该第一种溶剂之沸点回流一段至少1 分钟之足够的时间,及,于自约50℃至约200℃之温度 下以形成包含含羟基聚合物及第一种溶剂之反应 混合物; (D)令该步骤(C)之已纯化反应混合物通过离子交换 材料,以自其除去任何触媒,并因此提供一实质上 无触媒之含烃基聚合物溶液; (E)在该步骤(D)之含羟基聚合物溶液中,加入与光阻 互容之第三种溶剂,然后在至少该第一种溶剂之沸 点的温度下蒸掉第一种溶剂一段足够时间以除去 实质上所有该第一种溶剂,提供实质上纯含羟基聚 合物溶于该第三种溶剂之溶液。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中步骤A所制得 之聚合物系至少约40重量%溶于该第一种溶剂中。 18.如申请专利范围第16项之方法,其中该第二种溶 剂系选自己烷、庚烷、辛烷、石油醚、石油英、 低碳数烷基卤基烃及其混合物组成之群。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中该第二种溶 剂是庚烷,该第三种溶剂是与光阻互容的溶剂。 20.如申请专利范围第16项之方法,其中在步骤(E)之 后有一附加步骤,其中令实质上纯含羟基聚合物溶 液进行缩醛化作用,其中该含羟基聚合物溶液系在 酸触媒的存在下与乙烯基醚反应一段足够时间,并 在足够的温度及压力中下形成缩醛衍生含羟基聚 合物溶液。 21.如申请专利范围第20项之方法,其中在形成该缩 醛衍生含羟基聚合物溶液之后有一附加步骤,其中 该溶液系被中和以消除其酸性。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中在中和步骤 之后有一附加步骤,其中将光酸产生剂加入该已中 和之缩醛衍生含羟基聚合物溶液,以直接产生化学 放大阻抗组合物溶液。 23.如申请专利范围第16项之方法,其中单体是乙醯 氧基苯乙烯单体或丙烯酸酯单体或其混合物。 24.一种制备无水及纯含羟基聚合物溶液之液相方 法,其包括下列步骤: (A)在第一种溶剂中引发剂的存在下,于自约30℃至 约100℃之温度下,聚合一或多个选自经取代苯乙烯 、烷基丙烯酸酯、一或多个乙烯系不饱和可共聚 合单体及其混合物之群的单体一段至少1分钟之足 够时间,以形成聚合物及第一种溶剂混合物; (B)纯化该步骤(A)之反应混合物,其中第二种溶剂系 与该反应混合物混合,其中该第二种溶剂是不互溶 的,令这些层分离并移出该第二种溶剂及任何溶解 的副产物和溶解其中之低重量平均分子量聚合物; (C)令该步骤(B)之已纯化反应混合物通过离子交换 材料,以自其除去任何触媒,并因此提供一实质上 无触媒之含烃基聚合物溶液; (D)在该步骤(C)之含羟基聚合物溶液中,加入与光阻 互容之第三种溶剂,然后在至少该第一种溶剂之沸 点的温度下蒸掉第一种溶剂一段足够时间以除去 实质上所有该第一种溶剂,提供实质上纯含羟基聚 合物溶于该第三种溶剂之溶液。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中步骤A所制得 之聚合物系至少约40重量%溶于该第一种溶剂中。 26.如申请专利范围第24项之方法,其中该第二种溶 剂系选自己烷、庚烷、辛烷、石油醚、石油英、 低碳数烷基卤基烃及其混合物组成之群。 27.如申请专利范围第26项之方法,其中该第二种溶 剂是庚烷,该第三种溶剂是与光阻互容的溶剂。 28.如申请专利范围第24项之方法,其中在步骤(D)之 后有一附加步骤,其中令实质上纯含羟基聚合物溶 液进行缩醛化作用,其中该含羟基聚合物溶液系在 酸触媒的存在下与乙烯基醚反应一段足够时间,并 在足够的温度及压力下形成缩醛衍生含羟基聚合 物溶液。 29.如申请专利范围第28项之方法,其中在形成该缩 醛衍生含羟基聚合物溶液之后有一附加步骤,其中 该溶液系被中和以消除其酸性。 30.如申请专利范围第29项之方法,其中在中和步骤 之后有一附加步骤,其中将光酸产生剂加入该已中 和之缩醛衍生含羟基聚合物溶液,以直接产生化学 放大阻抗组合物溶液。 31.如申请专利范围第24项之方法,其中单体是乙醯 氧基苯乙烯单体,或丙烯酸酯单体,或其混合物。 32.一种制备实质上无水及纯含羟基聚合物之液相 方法,其包括下列步骤: (A)在溶剂中引发剂的存在下,于自约30℃至约100℃ 之温度下,聚合一或多个经取代苯乙烯一段至少1 分钟之足够时间,以形成聚(经取代苯乙烯)及溶剂 混合物; (B)转酯化该步骤(A)之混合物,其中该混合物系在触 媒的存在下于该溶剂沸点回流一段至少1分钟之足 够的时间,及,于自约50℃至约200℃之温度下以形成 一包含含羟基聚合物及溶剂之反应混合物; (C)令该步骤(B)之反应混合物通过离子交换材料,以 自其除去任何触媒并因此提供一实质上无触媒之 含烃基聚合物溶液; (D)在该步骤(C)之含羟基聚合物溶液中加入第二种 溶剂,然后在至少该第一种溶剂之沸点的温度下蒸 掉第一种溶剂一段足够时间,以除去实质上所有该 第一种溶剂,提供实质上纯含羟基聚合物溶于该第 二种溶剂之溶液。 33.如申请专利范围第32项之方法,其中在步骤(D)之 后有一附加步骤,其中令实质上纯含羟基聚合物溶 液进行缩醛化作用,其中该含羟基聚合物溶液系在 酸触媒的存在下与乙烯基醚反应一段足够时间,并 在足够的温度及压力下形成一缩醛衍生含羟基聚 合物溶液。 34.如申请专利范围第33项之方法,其中在形成该缩 醛衍生含羟基聚合物溶液之后有一附加步骤,其中 该溶液系被中和以消除其酸性。 35.如申请专利范围第34项之方法,其中在中和步骤 之后有一附加步骤,其中将光酸产生剂加入该已中 和之缩醛衍生含羟基聚合物溶液,以直接产生化学 放大阻抗组合物溶液。 36.如申请专利范围第32项之方法,其中经取代苯乙 烯是乙醯氧基苯乙烯单体。 37.如申请专利范围第32项之方法,其中经取代苯乙 烯具有下式 其中R是(i)-OC(O)R1,其中R1是C1-C5烷基;及(ii)-OR1,其中R 1系与上述相同,为直链或分枝链。 38.如申请专利范围第32项之方法,其中在步骤(D)之 后有一附加步骤,其中藉由选自第三丁基酯、碳酸 第三丁基酯及其混合物组成之群之酸酐的使用令 实质上纯含羟基聚合物溶液在芳族硷的存在下进 行醇解,以产生含羟基聚合物,其中该含羟基聚合 物也包含酸不安定基悬垂其上;其中该聚合作用也 包含乙烯基单体,其系丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯; 及其中该含羟基聚合物是聚羟基苯乙烯。 39.一种制备无水及聚羟基苯乙烯之液相方法,其包 括下列步骤: (A)在溶剂中引发剂的存在下,于自约30℃至约100℃ 之温度下,聚合经取代乙醯氧基苯乙烯一段至少1 分钟之足够时间,以形成聚经取代乙醯氧基苯乙烯 及溶剂混合物; (B)藉分馏纯化该聚经取代乙醯氧基苯乙烯及溶剂 混合物,其中另外加入溶剂至该混合物中,令混合 物沈降,倾析溶剂并另外加入溶剂,重复此分馏至 少一次,因而使该留下之聚合物之多分散度为2.0或 更低; (C)转酯化该步骤(B)之已纯化混合物,其中该混合物 系在触媒的存在下于该溶剂之沸点回流一段至少1 分钟之足够时间,及,于自约50℃至约200℃之温度下 以形成含聚羟基苯乙烯及溶剂之反应混合物; (D)令该步骤(C)之反应混合物通过离子交换材料,以 自其除去任何触媒,并因此提供实质上无触媒之聚 烃基苯乙烯溶液; (E)在该步骤(D)之聚羟基苯乙烯溶液中加入第二种 溶剂,然后在至少该第一种溶剂之沸点的温度下蒸 掉第一种溶剂一段足够的时间,以除去实质上所有 该第一种溶剂,提供实质上纯聚羟基苯乙烯溶于该 第二种溶剂之溶液。 40.如申请专利范围第39项之方法,其中在步骤(E)之 后有一附加步骤,其中令实质上纯聚羟基苯乙烯溶 液进行缩醛化作用,其中该聚羟基苯乙烯溶液系在 酸触媒的存在下,与乙烯基醚反应一段足够的时间 ,并在足够的温度及压力下形成一缩醛衍生聚羟基 苯乙烯溶液。 41.如申请专利范围第40项之方法,其中在形成该缩 醛衍生聚羟基苯乙烯溶液之后有一附加步骤,其中 该溶液系被中和以消除其酸性。 42.如申请专利范围第41项之方法,其中在中和步骤 之后有一附加步骤,其中将光酸产生剂加入该已中 和之缩醛衍生聚羟基苯乙烯溶液,以直接产生化学 放大阻抗组合物溶液。 43.如申请专利范围第39项之方法,其中经取代乙醯 氧基苯乙烯是乙醯氧基苯乙烯单体。 44.如申请专利范围第39项之方法,其中在步骤(E)之 后有一附加步骤,其中藉由选自第三丁基酯、碳酸 第三丁基酯及其混合物组成之群之酸酐的使用令 实质上纯聚羟基苯乙烯溶液在芳族硷的存在下进 行醇解,以产生聚羟基苯乙烯,其中该聚羟基苯乙 烯也包含酸不安定基悬垂其上;其中该聚合作用也 包含乙烯基单体,其系丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯。 |
