| 主权项 |
1.一种半导体装置,其具有折叠位元线结构,其中一 第一电容器与一第二电容器连接到一活性区域上, 其中该第一电容器与该第二电容器系分别形成于 不同的高度,且彼此电性绝缘。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该第一 与该第二电容器均为5F2,且彼此重叠1F2。 3.一种半导体装置,其包括: 一5F乘1F长宽的矩形活性区域; 两个1F长的字组线,穿过一活性区域;及 位于一不同高度的两个电容器,其连接到一活性区 域上,并且该二电容器彼此电性绝缘,其中该二电 容器尺寸分别为5F2,并以一预定尺寸重叠。 4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中该二电 容器以F2的面积重叠。 5.一种半导体装置,其包括: 一5F乘1F长宽的矩形活性区域; 两个1F长的字组线,其穿过一活性区域;及 两个2F来6F长宽的电容器,其连接到一活性区域,其 中该二电容器形成于一不同的高度,彼此电性绝缘 ,且以一预定宽度重叠。 6.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中该二电 容器以2F乘2F长宽彼此重叠。 7.一种形成半导体装置之方法,其包含以下步骤: 形成一装置绝缘氧化膜,以界定一半导体基板上的 活性区域; 在所形成基板的整个表面上形成一第一层间绝缘 膜; 选择性地图案化该第一层间绝缘膜以分别形成一 第一与一第二接触插塞,接触该活性区域; 形成一第三接触插塞,接触该第二接触插塞; 在该第三接触插塞的侧壁上形成一第一绝缘间隔, 藉此产生一第一接触孔,以曝露该第一接触插塞; 在该第一接触孔中形成一第一电容器,其包含一储 存节点、一介电膜以及一板电极; 在该合成结构上形成一第四接触插塞,连接到该第 一电容器的该板电极上; 在该第四接触插塞的侧壁上形成一第二绝缘间隔, 以使该第二绝缘间隔能覆盖该第一电容器的曝露 表面,藉此产生一第二接触孔,以曝露该第三接触 插塞;及 在该第二接触孔中形成一第二电容器。 8.如申请专利范围第7项之方法,在形成该第一电容 器后,进一步包括在所形成结构上形成一第二绝缘 膜,以使得该第一电容器与该第二电容器绝缘。 图式简单说明: 图1是一种传统半导体装置之配置图; 图2是依据一储存节点的高度和一等效氧化物厚度 绘制的积累电荷曲线图; 图3是一种半导体装置的配置图,其与本发明的第 一项具体实施例中的半导体装置一致; 图4a所示系沿着图3的直线A-A之断面图; 图4b所示系沿着图3的直线B-B之断面图; 图5是一种半导体装置的配置图,其与本发明之第 二项具体实施例中的半导体装置一致; 图6a至6g所示的断面图说明了依照本发明所形成电 容器之方法的序列步骤; 图7是依照本发明之第三项具体实施例中的半导体 装置之断面图。 |
