| 主权项 |
1.一种晶圆装载室(loadlock chamber),其包含有: 一装载室壳体,其具有至少一负载口(loading port); 至少一负载门(loading door),设置于该装载室壳体之 外侧;以及 至少一晶圆载具(wafer holder),设于该装载室壳体之 内,用以承载一晶圆,该晶圆载具包含有: 至少一晶圆座;以及 复数个定位装置(locator),设于该晶圆座之上并突出 于该晶圆座表面; 其中,当该晶圆置于该晶圆载具之上时,该晶圆之 底表面仅与该等定位装置相接触。 2.如申请专利范围第1项之晶圆装载室,其中当该晶 圆置于该晶圆载具之上时,该晶圆与该等定位装置 之接触面积小于该晶圆面积之30%。 3.如申请专利范围第2项之晶圆装载室,其中该晶圆 与该等定位装置之接触面积范围系为该晶圆面积 之20%至30%。 4.如申请专利范围第2项之晶圆装载室,其中该晶圆 与该等定位装置之接触面积范围系为该晶圆面积 之10%至20%。 5.如申请专利范围第2项之晶圆装载室,其中该晶圆 与该等定位装置之接触面积范围系为该晶圆面积 之1%至10%。 6.如申请专利范围第1项之晶圆装载室,其中各该定 位装置皆为一向上突起之条状凸块。 7.如申请专利范围第6项之晶圆装载室,其中该晶圆 载具包含有二该定位装置,且当该晶圆置于该晶圆 载具之上时,该等定位装置系分别位于该晶圆之一 直径之两侧。 8.如申请专利范围第1项之晶圆装载室,其中各该定 位装置皆为一向上突起之凸点。 9.如申请专利范围第8项之晶圆装载室,其中该晶圆 载具包含有至少三该定位装置。 10.如申请专利范围第1项之晶圆装载室,其中该晶 圆装载室包含有复数个该晶圆载具。 11.如申请专利范围第10项之晶圆装载室,其中该等 晶圆载具系堆叠设置于该装载室壳体内。 12.如申请专利范围第11项之晶圆装载室,其中该等 晶圆载具之任一该晶圆座与设于其上侧或下侧之 另一该晶圆座之间具有一空隙。 13.如申请专利范围第1项之晶圆装载室,其中该晶 圆座包含有复数个不相接触但共水平面之薄板,用 以承载一该晶圆。 14.如申请专利范围第1项之晶圆装载室,其中该定 位装置突出于该晶圆座之高度小于7毫米(millimeter, mm)。 15.如申请专利范围第1项之晶圆装载室,其中该定 位装置之材料相同于该晶圆座之材料。 16.如申请专利范围第1项之晶圆装载室,其中该定 位装置之材料为耐高温材料。 17.如申请专利范围第16项之晶圆装载室,其中该定 位装置之材料包含有铝、铁氟龙(teflon)或上述之 组合。 18.如申请专利范围第1项之晶圆装载室,其中该晶 圆装载室为一冷却室(cooling chamber)。 19.如申请专利范围第1项之晶圆装载室,其中该晶 圆装载室另包含有一抽真空装置。 20.如申请专利范围第1项之晶圆装载室,其中该晶 圆装载室系适用于一半导体去光阻制程后之缓冲 站(buffer station),且该晶圆载具系用以承载完成该 去光阻制程之晶圆。 21.一种设置于一晶圆装载室(loadlock chamber)中之晶 圆载具,用以承载一高温制程后之晶圆,该晶圆载 具包含有: 一薄板状之晶圆座;以及 至少二定位装置(locator),设于该晶圆座之上并突出 于该晶圆座表面,当该晶圆置于该晶圆载具之上时 ,该晶圆仅与该等定位装置相接触,且该晶圆与该 等定位装置之接触面积小于该晶圆面积之30%。 22.如申请专利范围第21项之晶圆载具,其中该晶圆 与该等定位装置之接触面积范围系为该晶圆面积 之20%至30%。 23.如申请专利范围第21项之晶圆载具,其中该晶圆 与该等定位装置之接触面积范围系为该晶圆面积 之10%至20%。 24.如申请专利范围第21项之晶圆载具,其中该晶圆 与该等定位装置之接触面积范围系为该晶圆面积 之1%至10%。 25.如申请专利范围第21项之晶圆载具,其中各该定 位装置皆为一向上突起之条状凸块。 26.如申请专利范围第25项之晶圆载具,其中当该晶 圆置于该晶圆载具之上时,该等定位装置系分别位 于该晶圆之一直径之两侧。 27.如申请专利范围第21项之晶圆载具,其中各该定 位装置皆为一向上突起之凸点。 28.如申请专利范围第27项之晶圆载具,其中该晶圆 载具包含有至少三该定位装置。 29.如申请专利范围第28项之晶圆载具,其中当该晶 圆置于该晶圆载具之上时,该晶圆之圆心落在该等 定位装置所围成之图形中。 30.如申请专利范围第21项之晶圆载具,其中各该定 位装置包含有一平坦之顶面,当该晶圆置于该晶圆 载具之上时,该晶圆仅与各该定位装置之该顶面相 接触。 31.如申请专利范围第21项之晶圆载具,其中该晶圆 座包含有二不相接触但共水平面之薄板,用以承载 一该晶圆。 32.如申请专利范围第21项之晶圆载具,其中该定位 装置突出于该晶圆座之高度小于7毫米。 33.如申请专利范围第21项之晶圆载具,其中该定位 装置之材料相同于该晶圆座之材料。 34.如申请专利范围第21项之晶圆载具,其中该定位 装置之材料为耐高温材料。 35.如申请专利范围第34项之晶圆载具,其中该定位 装置之材料包含有铝、铁氟龙(teflon)或上述之组 合。 36.如申请专利范围第21项之晶圆载具,其中该晶圆 装载室为一冷却室(cooling chamber)。 37.如申请专利范围第21项之晶圆载具,其中该晶圆 载具系适用于一半导体去光阻制程后之缓冲站( buffer station)中,且该高温制程为该去光阻制程。 图式简单说明: 第1图为习知技术晶圆载具之示意图。 第2图为第1图所示晶圆载具表面置放有一晶圆之 俯视图。 第3图为本发明晶圆装载室及其晶圆载具之示意图 。 第4图为第3图之晶圆载具之放大示意图。 第5图为第4图定位装置之放大示意图。 第6图为本发明晶圆载具之另一实施例之示意图。 |
