| 主权项 |
1.一种有机的抗反射涂布组成物,包括: 一提供抗反射层交联结构的交联剂,具有如化学式 3的结构,其分子量介于3000至100000; 一在曝光源波长范围内,具高光吸收度的光吸收剂 ;以及 一聚二甲基矽氧烷聚合物,具化学式1之结构; 其中于该组成物中,该光吸收剂的含量是基于该组 成物中该交联剂含量之重量百分比50至400%,以及该 聚二甲基矽氧烷聚合物的含量是基于该组成物中 该交联剂含量之重量百分比10至200%; 化学式1 化学式2 化学式3 其中,R1与R2各自独立,为支链及/或直链取代之C1-C10 烷基,R3为一氢原子或甲基。 2.如申请专利范围第1项所述之抗反射涂布组成物, 更包括一热酸生成剂包括如一化学式4之2-羟基环 己基对磺酸化甲苯(2-hydroxycyclohexyl p-toluenesulfonate) ; 化学式4 3.如申请专利范围第2项所述之抗反射涂布组成物, 其中该热酸生成剂含量是基于该组成物中该交联 剂含量之重量百分比10至200%。 4.如申请专利范围第1项所述之抗反射涂布组成物, 其中更进一步包含一化学式5结构之18-冠-6(1, 4, 7, 10, 13, 16-己氧环环辛癸烷)(18-crown-6(1, 4, 7, 10, 13, 16 -hexaoxacyclooctadeane))作为一酸扩散抑制剂; 化学式5 5.如申请专利范围第4项所述之抗反射涂布组成物, 其中该酸扩散抑制剂其含量是基于该组成物中该 热酸生成剂含量之莫耳百分比30至500%。 6.一种形成光阻图案方法,包括下列步骤: 将申请专利范围第1-5项中任意一项所述之该抗反 射涂布组成物涂布在被蚀刻层之表面上; 在该材料上施与烘烤制程,使其生成复数个交联键 结及形成一有机的抗反射层;以及 在该已成型之抗反射层上涂布该光阻,使该已涂布 之抗反射层暴露于一光源后将其显影以形成该光 阻图案。 7.如申请专利范围第6项所述之形成光阻图案方法, 其中该烘烤制程条件为150至300℃温度下,持续1至5 分钟。 8.如申请专利范围第6项所述之形成光阻图案方法, 其中该光阻形成步骤更进一步包括,在曝光制程以 前及/或以后施与额外的该烘烤制程。 9.如申请专利范围第8项所述之形成光阻图案方法, 其中该烘烤制程温度条件为70至200℃。 10.如申请专利范围第6项所述之形成光阻图案方法 ,其中系应用F2、ArF、KrF、深紫外光(deep-ultraviolet, DUV)含EUV、电子束(E-beam)、X光(X-ray)或离子束(ion- beam)光源形成一微细光阻图案制程。 |
