| 主权项 |
1.一种整合制程,包括一图案化光阻层位于一蚀刻 机台中之一基材上,该蚀刻机台具有一或多个制程 反应室,该图案化光阻层具有延伸穿过该基材中之 至少一底下层的一开口,且该开口具有一顶部与一 底部,该整合制程至少包括: (a)进行一氧气灰化步骤以移除该图案化光阻层; (b)进行一含卤素电浆步骤;以及 (c)转移该开口至位于该基材中之该开口之该底部 的一暴露层。 2.如申请专利范围第1项所述之整合制程,其中该蚀 刻机台为一分离电力蚀刻机、一双电力蚀刻机、 一单一电力蚀刻机、一反应性离子蚀刻(RIE)机、 或者一传统桶式(Barrel)、直立式或下游式(Downstream )之灰化机台。 3.如申请专利范围第1项所述之整合制程,其中步骤 (a)与步骤(b)系在该蚀刻机台之相同制程反应室中 进行。 4.如申请专利范围第1项所述之整合制程,其中步骤 (a)、步骤(b)与步骤(c)系在该蚀刻机台之相同制程 反应室中进行。 5.如申请专利范围第1项所述之整合制程,其中该含 卤素电浆步骤包括一电浆,且该电浆系利用四氟化 碳、二氟甲烷、六氟化硫、三氟化氮、氯气以及 碳氟化合物(CXFYHZ)中之一或多种而形成,其中X与Y 为整数,而Z为整数或0。 6.如申请专利范围第5项所述之整合制程,其中该含 卤素电浆步骤包括氢溴酸以及四氟化碳、二氟甲 烷、六氟化硫、三氟化氮、氯气与碳氟化合物( CXFYHZ)中之一或多种的组合,其中X与Y为整数,而Z为 整数或0。 7.如申请专利范围第1项所述之整合制程,其中该含 卤素电浆步骤包括介于约3sccm至500sccm间之一含卤 素气体流率,介于约1毫托耳至3托耳间之一反应室 压力,介于约-15℃至150℃间之一反应室温度,介于 约100瓦特至3000瓦特间之一高频射频电力或上射频 电力,以及介于约10瓦特至1000瓦特间之一低频射频 电力或偏压电力,且进行时间小于约60秒。 8.如申请专利范围第1项所述之整合制程,其中该含 卤素电浆步骤包括介于约3sccm至500sccm间之一含卤 素气体流率,介于约1毫托耳至3托耳间之一反应室 压力,介于约-15℃至150℃间之一反应室温度,以及 介于约50瓦特至1000瓦特间,且进行时间小于约60秒 之一射频电力。 9.如申请专利范围第1项所述之整合制程,其中该开 口暴露一下方矽层且步骤(c)于该基材中形成一浅 沟渠。 10.如申请专利范围第1项所述之整合制程,其中该 开口暴露一下方闸极层且步骤(c)形成一闸极电极 。 11.一种移除氧化物残渣之整合制程,至少包括: (a)提供一基材,并将该基材置入一蚀刻机台之一制 程反应室,该基材上形成有由位于上方之一图案化 光阻层、位于中间之一罩幕层以及位于下方之一 垫氧化层所组成之一堆叠,且该图案化光阻层具有 一沟渠开口延伸穿过该罩幕层与该垫氧化层; (b)进行一氧气灰化步骤,以移除该图案化光阻层, 其中该氧气灰化步骤于基材上产生复数个氧化物 残渣;以及 (c)进行一含卤素电浆步骤,以移除该些氧化物残渣 。 12.如申请专利范围第11项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,于该含卤素电浆步骤后,更至少包括 进行一电浆蚀刻步骤,以将该沟渠开口转移至该基 材中。 13.如申请专利范围第12项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该电浆蚀刻步骤系在与该含卤素 电浆步骤相同之蚀刻机台中进行。 14.如申请专利范围第11项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该罩幕层系由氮化矽或多晶矽所 组成,且该基材系一矽基材。 15.如申请专利范围第11项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该含卤素电浆步骤包括一电浆, 且该电浆系利用四氟化碳、二氟甲烷、六氟化硫 、三氟化氮、氯气以及碳氟化合物(CXFYHZ)中之一 或多种而形成,其中X与Y为整数,而Z为整数或0。 16.如申请专利范围第11项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该含卤素电浆步骤包括介于约3 sccm至500sccm间之一含卤素气体流率,介于约1毫托耳 至3托耳间之一反应室压力,介于约-15℃至150℃间 之一反应室温度,介于约100瓦特至3000瓦特间之一 高频射频电力,以及介于约10瓦特至1000瓦特间之一 低频射频电力,且进行时间小于约60秒。 17.如申请专利范围第11项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该蚀刻机台系一单一电力机台, 且该含卤素电浆步骤包括介于约3sccm至500sccm间之 一含卤素气体流率,介于约1毫托耳至3托耳间之一 反应室压力,介于约-15℃至150℃间之一反应室温度 ,以及介于约50瓦特至1000瓦特间,且进行时间小于 约60秒之一射频电力。 18.如申请专利范围第11项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该堆叠更包括一有机抗反射覆盖 层介于该罩幕层与该图案化光阻层之间,且该有机 抗反射覆盖层于该氧气灰化步骤期间移除。 19.一种移除氧化物残渣之整合制程,至少包括: (a)提供一基材,并将该基材置入一蚀刻机台之一制 程反应室,该基材上形成有一堆叠,且该堆叠包括 依序形成之一闸极介电层、一硬罩幕层以及一光 阻层,且该光阻层具有一图案,而该图案至少包括 复数个开口延伸穿过该硬罩幕层; (b)进行一氧气灰化步骤,以移除该光阻层,其中该 氧气灰化步骤于基材上产生复数个氧化物残渣;以 及 (c)进行一含卤素电浆步骤,以移除该些氧化物残渣 。 20.如申请专利范围第19项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,于该含卤素电浆步骤后,更至少包括 进行一电浆蚀刻步骤,以将该图案转移至该闸极层 而形成一闸极电极。 21.如申请专利范围第20项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该电浆蚀刻步骤系在与该含卤素 电浆步骤相同之蚀刻机台中进行。 22.如申请专利范围第19项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该闸极介电层系由二氧化矽或一 高介电常数介电材料所组成。 23.如申请专利范围第19项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该闸极层系由多晶矽或非晶矽所 组成。 24.如申请专利范围第19项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该硬罩幕层之材质为氮化矽、氮 氧化矽或氧化矽。 25.如申请专利范围第19项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该含卤素电浆步骤包括一电浆, 且该电浆系利用四氟化碳、二氟甲烷、六氟化硫 、三氟化氮、氯气以及碳氟化合物(CXFYHZ)中之一 或多种而形成,其中X与Y为整数,而Z为整数或0。 26.如申请专利范围第19项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该含卤素电浆步骤包括介于约3 sccm至500sccm间之一含卤素气体流率,介于约1毫托耳 至3托耳间之一反应室压力,介于约-15℃至150℃间 之一反应室温度,介于约100瓦特至3000瓦特间之一 高频射频电力,以及介于约10瓦特至1000瓦特间之一 低频射频电力,且进行时间小于约60秒。 27.如申请专利范围第19项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该蚀刻机台系一单一电力机台, 且该含卤素电浆步骤包括介于约3sccm至500sccm间之 一含卤素气体流率,介于约1毫托耳至3托耳间之一 反应室压力,介于约-15℃至150℃间之一反应室温度 ,以及介于约50瓦特至1000瓦特间且进行时间小于约 60秒之一射频电力。 28.如申请专利范围第19项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该堆叠更包括一有机抗反射覆盖 层介于该硬罩幕层与该光阻层之间,且该有机抗反 射覆盖层于该氧气灰化步骤期间移除。 29.一种移除氧化物残渣之整合制程,至少包括: (a)提供一基材,并将该基材置入一蚀刻机台之一制 程反应室,该基材上形成有由位于上方之一图案化 光阻层、位于中间之一介电层以及位于下方之一 蚀刻终止层所组成之一堆叠,且该图案化光阻层中 形成有一开口延伸穿过该介电层并暴露出部分之 该蚀刻终止层; (b)进行一氧气灰化步骤,以移除该图案化光阻层, 其中该氧气灰化步骤于基材上产生复数个氧化物 残渣;以及 (c)进行一含卤素电浆步骤,以移除该些氧化物残渣 以及该蚀刻终止层之暴露部分。 30.如申请专利范围第29项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,于该含卤素电浆步骤后,更至少包括 进行一电浆制程,以移除于移除该蚀刻终止层之暴 露部分的期间所形成之复数个高分子聚合物残渣 。 31.如申请专利范围第30项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该电浆制程系在与该含卤素电浆 步骤相同之蚀刻机台中进行。 32.如申请专利范围第29项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中位于该介电层中之该开口为一介 层窗、一接触洞、一沟渠、或形成于一介层窗上 方之一沟渠。 33.如申请专利范围第29项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该堆叠更至少包括一覆盖层介于 该介电层与该图案化光阻层之间。 34.如申请专利范围第29项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该堆叠更包括一有机抗反射覆盖 层介于该介电层与该图案化光阻层之间,且该有机 抗反射覆盖层与该图案化光阻层于该氧气灰化步 骤期间移除。 35.如申请专利范围第29项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该蚀刻终止层之材质为氮化矽、 碳化矽或氮氧化矽。 36.如申请专利范围第29项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该介电层系由二氧化矽、磷矽玻 璃(PSG)、硼磷矽玻璃(BPSG)、或由掺杂氟之二氧化 矽、掺杂碳之二氧化矽、五环八矽氧高分子聚合 物(Silsesquioxane PoIymer)、聚芳香烃醚[Poly(arylether)] 或苯环丁烯(Benzocyclobutene)所构成之低介电常数介 电材料。 37.如申请专利范围第29项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该含卤素电浆步骤包括一电浆, 且该电浆系利用四氟化碳、二氟甲烷、六氟化硫 、三氟化氮、氯气以及碳氟化合物(CXFYHZ)中之一 或多种而形成,其中X与Y为整数,而Z为整数或0。 38.如申请专利范围第29项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该含卤素电浆步骤包括介于约3 sccm至500sccm间之一含卤素气体流率,介于约1毫托耳 至3托耳间之一反应室压力,介于约-15℃至150℃间 之一反应室温度,介于约100瓦特至3000瓦特间之一 高频射频电力,以及介于约10瓦特至1000瓦特间之一 低频射频电力,且进行时间小于约60秒。 39.如申请专利范围第29项所述之移除氧化物残渣 之整合制程,其中该蚀刻机台系一单一电力机台, 且该含卤素电浆步骤包括介于约3sccm至500sccm间之 一含卤素气体流率,介于约1毫托耳至3托耳间之一 反应室压力,介于约-15℃至150℃间之一反应室温度 ,以及介于约50瓦特至1000瓦特间之一射频电力,且 进行时间小于约60秒。 图式简单说明: 第1图至第2图系绘示于基材上图案化光阻层,以及 使用氧气灰化步骤剥除光阻层,但会于基材上产生 氧化物残渣之制程剖面图。 第3图系绘示微罩幕缺陷之剖面图,其中这些微罩 幕缺陷系于习知方法中,当第2图之氧化物残渣未 于图案转移以形成浅沟渠之步骤进行前先移除所 形成。 第4图系绘示依照本发明之第一较佳实施例的一种 移除氧化物残渣之含氟电浆步骤的剖面图。 第5图系绘示依照本发明之第一较佳实施例之移除 第4图所示之氧化物残渣以及形成浅沟渠而无损及 基材的剖面图。 第6图系绘示依照本发明第二较佳实施例之图案化 光阻层形成于基材上之主动区以及图案转移至闸 极层上之硬罩幕层的剖面图。 第7图系绘示第6图之结构经光阻层剥除以及氧化 物残渣形成于闸极与硬罩幕上之后的剖面图。 第8图系绘示本发明第7图之氧化物残渣之移除的 剖面图,其中氧化物残渣之移除系利用含卤素电浆 步骤。 第9图系绘示依照本发明之第二较佳实施例之第8 图中硬罩幕图案之转移,其中硬罩幕图案转移至底 下之多晶矽层而无微罩幕缺陷。 第10图至第13图系绘示依照本发明第三较佳实施例 之连续步骤,包括于基材上之介电层的上方图案化 光阻层、以氧气灰化步骤剥除光阻而形成氧化物 残渣、以含卤素电浆步骤移除氧化物残渣与暴露 之蚀刻终止层、以及以额外之电浆步骤移除高分 子聚合物残渣。 |
