| 主权项 |
1.一种用以包封一电容器之方法,该方法包括之步 骤为: 蚀刻一电容器之一底部电极,以便露出一位于其下 方之晶圆表面; 在该电容器与晶圆表面之间蚀刻一底部切口;及 以一阻碍层充填该底部切口,以降低污染物从晶圆 之表面扩散进入电容器。 2.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包括之步 骤为:除了以一阻碍层充填该底部切口之外,并以 该阻碍层覆盖电容器之顶部,以包封该电容器。 3.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包括之步 骤为:利用该底部切口中之阻碍层降低扩散进入铁 电材料的氢。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中该下方晶圆表 面系为四乙基原矽酸盐(TEOS)。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中该污染物系为 氢。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻该底部切 口之步骤系藉着蚀刻该电容器与晶圆之间的一钛 层加以实行。 7.如申请专利范围第5项之方法,其中该钛系用以将 电容器黏附到晶圆。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中该底部切口通 过电容器与晶圆之间,并终止于穿过该晶圆之接点 插塞处。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该底部切口系 使用一富含氟之化学物质加以蚀刻。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中该底部切口 系在高温加以蚀刻。 11.如申请专利范围第10项之方法,其中该底部切口 系在一高于300℃之温度加以蚀刻。 12.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含之 步骤为:在蚀刻底部切口期间,施加一低偏功率至 一固定该晶圆之夹块。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中以阻碍层充 填该底部切口之步骤包括使用原子层沉积。 14.如申请专利范围第1项之方法,其中该阻碍层系 为氧化铝(Al2O3)。 15.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含之 步骤为:使用阻碍层降低扩散进入铁电物质之氢, 以减少铁电性能之降低。 16.如申请专利范围第1项之方法,其进一步包含之 步骤为:使用阻碍层降低扩散进入铁电物质之氢, 以减少电极之分解。 17.一种铁电随机存取记忆体(FeRAM) ,其使用如申请 专利范围第1项之方法所得电容器以贮存资料。 图式简单说明: 第1图显示一先前技艺之FeRAM电容器; 第2图显示在使用一习用程序蚀刻之后的电容器; 第3图显示在该电容器上嵌入一阻碍层之先前技艺 ; 第4图显示第1图之电容器在进行本发明的底部切 口蚀刻以后之情形; 第5图显示第4图之电容器在该电容器以一阻碍层 包封以后的情形; 第6图显示用以制造第5图之电容器的方法步骤。 |
