半导体装置

摘要

本发明提供一种耐湿性优良，特性不会变动之高可靠度半导体装置，其在构造上可实现优良之制造边限。使埋入到层间绝缘膜8之路径形状之铜配线2，连接到最下层之闸极配线1。在铜配线2之外侧使屏蔽环5之铜配线6埋入到层间绝缘膜8。在铜配线2，6和层间绝缘膜8上形成氮化矽膜9，在氮化矽膜9上形成氧化矽膜10。在氧化矽膜10埋入熔线配线3，用来连接不同之铜配线之间，在包含熔线配线3和铝配线7之上面形成氧化矽膜10。在氧化矽膜10上形成氮化矽膜11。除去位于铝配线7上之氮化矽膜11，形成开口部4，使氮化矽膜11和铝配线7直接连接。

主权项

1.一种半导体装置,其特征为具备有: 氧化矽膜,形成在底层上; 熔线配线,埋入到上述氧化矽膜,用来形成熔线; 金属配线,在包围上述熔线配线之位置,埋入到上 述氧化矽膜和上述底层,用来构成屏蔽环;和 保护膜,形成在上述氧化矽膜上,具有耐湿性; 上述保护膜在上述熔线配线上开口用来使上述氧 化矽膜露出,且具有不经由上述氧化矽膜直接与上 述金属配线之上面连接之部份。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中, 更具备有电极衬垫,形成在被设于上述氧化矽膜和 上述保护膜之开口内;和 上述保护膜具有覆盖在上述氧化矽膜之开口侧面, 与上述电极衬垫直接连接之部份。 3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,更 具备有氮化矽膜,形成在上述底层和上述氧化矽膜 之间。 4.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上 述保护膜为氮化矽膜。 5.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上 述保护膜为氧化矽膜和氮化矽膜之复合膜,上述复 合膜之氮化矽膜之膜厚至少为50nm以上。 6.如申请专利范围第1或2项之半导体装置,其中,上 述保护膜为聚醯亚胺膜。 图式简单说明: 图1是本发明之实施形态1之半导体装置之平面图 。 图2是本发明之实施形态1之半导体装置之剖面图 。 图3是本发明之实施形态2之半导体装置之剖面图 。