发明名称 有机发光显示面板
摘要 一有机发光显示面板包含有一定义有复数个画素区域之基板,各画素区域之内分别定义有一薄膜电晶体区域。一导电层设置于部份之各薄膜电晶体区域之内,一包含有一闸极之薄膜电晶体分别设置于各薄膜电晶体区域之内,以及至少一介电层设置于导电层以及闸极之间。导电层、闸极以及介电层构成一电容。
申请公布号 TWI251446 申请公布日期 2006.03.11
申请号 TW093101582 申请日期 2004.01.20
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 李国胜
分类号 H05B33/00 主分类号 H05B33/00
代理机构 代理人 许锺迪 台北县永和市福和路389号5楼
主权项 1.一种有机发光显示面板(organic electroluminescent display panel),包含有: 一基板,该基板之上定义有复数个画素区域,且各 该画素区域之内分别定义有一薄膜电晶体区域; 一导电层设置于部份之各该薄膜电晶体区域之内; 一薄膜电晶体分别设置于各该薄膜电晶体区域之 内,该薄膜电晶体中包含有一闸极;以及 至少一介电层设置于该导电层以及该闸极之间; 其中该导电层、该闸极以及该介电层系构成一电 容。 2.如申请专利范围第1项之面板,其中该基板系为一 透明基板,且该基板系包含有一玻璃基板、一塑胶 基板或是一石英基板,该导电层系包含有一金属层 、一氧化铟锡层(indium tin oxide layer, ITO layer)或是 一氧化铟锌层(indium zinc oxide layer, IZO layer)。 3.如申请专利范围第1项之面板,其中该薄膜电晶体 系包含有一N型薄膜电晶体或是一P型薄膜电晶体, 且该薄膜电晶体系用来作为一驱动薄膜电晶体( driver TFT)。 4.如申请专利范围第1项之面板,其中该导电层系被 电性连接至VDD电压源。 5.如申请专利范围第1项之面板,其中各该画素区域 内之各导电层系为相连,且该导电层系位于该闸极 之下方。 6.如申请专利范围第5项之面板,其中该薄膜电晶体 另包含有: 一闸极绝缘层(gate insulating layer, GI layer)设置于该 闸极以及该介电层之上; 一半导体层设置于部份之该闸极绝缘层之上; 一汲极设置于部份之该半导体层以及该闸极绝缘 层之上,且该汲极系经由至少一接触洞被电性连接 至该导电层;以及 一源极设置于部份之该半导体层以及该闸极绝缘 层之上,且该源极与该汲极系不相连(not connect)。 7.如申请专利范围第1项之面板,其中该导电层系位 于该闸极之上方。 8.如申请专利范围第7项之面板,其中该薄膜电晶体 另包含有: 一多晶矽层设置于该基板之上,且该多晶矽层之内 包含有一源极以及一汲极; 一闸极绝缘层设置于该基板之上并覆盖住该多晶 矽层; 该闸极设置于部份之该闸极绝缘层之上; 该介电层设置于该闸极以及该闸极绝缘层之上; 一第一接触插塞设置于该介电层以及该闸极绝缘 层之内并被电性连接至该汲极,且该第一接触插塞 系经由至少一接触洞被电性连接至该导电层;以及 一第二接触插塞设置于该介电层以及该闸极绝缘 层之内并且被电性连接至该源极。 9.如申请专利范围第7项之面板,其中该薄膜电晶体 另包含有: 一多晶矽层设置于该基板之上,且该多晶矽层之内 包含有一源极以及一汲极; 一闸极绝缘层设置于该基板之上并覆盖住该多晶 矽层; 该闸极设置于部份之该闸极绝缘层之上; 该介电层设置于该闸极以及该闸极绝缘层之上; 一第一接触插塞设置于该介电层以及该闸极绝缘 层之内并且被电性连接至该源极;以及 该导电层直接连接至该汲极。 图式简单说明: 图一为习知技术之一有机发光显示面板的上示图 。 图二为习知技术之一有机发光显示面板的上示图 。 图三为一有机发光显示面板之等效电路示意图。 图四为图三之有机发光显示面板依照习知技术布 局时的部份剖面示意图。 图五为本发明第一实施例之一有机发光显示面板 的部份剖面示意图。 图六为本发明第二实施例之一有机发光显示面板 的部份剖面示意图。 图七为本发明第三实施例之一有机发光显示面板 的部份剖面示意图。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号
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