| 主权项 |
l.一种二轴延伸尼龙系举层薄膜之制造方法,系由环状横子挤压出尼龙系树脂,用12-16℃之冷却水冷却,制成管状单压薄膜,虽对该管状薄膜一面以5m2/分麓以上之风遭压入气瞪,一面加热至 250-400 ℃以进行二轴延伸,其中,设前述单层薄膜在移动方向叫叫之最大延伸应力为位ND,薄膜在宽度方向(T功之最大延伸应力为仗TD时,分别将上述位ND和仗TD詨定如下所示値,上式中,P示延伸力伙汝,Bm示ND方向之延伸倍率,A示原料薄膜之截面积(cf),T示夹挠之旋转距(K汐c盯],r示夹窥之半径心“上式中,乙P示气泡内压力汰g/cf),R示气泡半径心刈,t示薄膜厚度(c刈。2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中特征为前姐尼龙系单层薄膜系尼辑6薄膜,前述c防和c扣分则设定在下列范围:3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中特微为前述尼龙系单层薄膜系尼龙66薄膜,前述c油和cm分别设定在下列娓围:4.如申请专利范围第1项之制造方法,其中特征为前述尼龙系单历薄膜系尼龙6-66薄膜,前述叮m和cm分则设定在下列范围:5.一种二轴延伸尼罢系多层薄膜之制造方法,系由环状模子摒压出尼罢系树脂,用12-16℃之冷却水冷却,制成管状多压簿膜,襁对该簿膜以5m2/分钟以上之风量压入气体,一面加热至250-400℃以进行二轴延伸,其中,设前述多层薄膜之移动方向仰印之最大延伸应力为dm,薄膜在宽度方向(IT叫之取大延伸应力为dm和dm时,分则将cm和叮m设定在如下所示値,但上述d陌和cm分别由下式表示上式中,F示延伸力冰汐,Bm示MD方向之延伸倍率,A示原料薄膜之截面积(cf),T示夹辊之旋转距冰gc叫,r示夹辊之半泾心“其中,匕为气泡内压力作g/cf),R为气泡半径,t示薄膜厚度心刈。6.如申请专利范围第5项之二轴延伸尼罢系多层薄膜之制造方法,其中特征为前述尼龙系多层薄膜系具有尼龙6层和乙烯一乙酸乙烯酯共聚皂化物占V0山层之多层薄膜,前述cm和cm分别设定在下列范围:7.如申请专利范围第5项之二轴延伸尼龙系多层薄膜之制造方法,其中特征为前述尼龙系多层薄膜系具有尼龙6层,黏接剂树脂层以及聚烯类层之多层薄膜,前述dm4[苯gcm分则设定在下列范围:8.如申请专利范围第5项之二轴延伸尼龙系多层薄膜之制造方法,其中特征为前述尼罢系多层薄膜系具有尼龙6层,乙烯一乙酸乙烯酯共聚皂化物~HO川层.黏接剂树脂层以及聚烯类层之多层薄膜前述c防和dm分则设定在下列范围:9.如申请专利范围第5项之二轴延伸尼龙系多层薄膜之制造方法,其中特征为前述尼龙系多层薄膜系具有尼龙6一66层和EV0H层之参层薄膜,前述cm和dm分则设定在下列范围内:10.如申请专利范围第5项之二轴延伸尼龙系多层薄膜之制造方法,其中特征为前述尼龙系多层薄膜系具有尼龙6-66层,EV0H层之多层薄膜,黏接剂树脂层以及聚烯类层之多层薄膜前组d泖和cm分别设定在下列范围内:11.如申请专利范围第5项之1轴延伸尼龙系多层薄膜之制造方法,前述尼龙系多层薄膜系具有尼龙6-66压,黏接剂树脂层和烯类层之多层薄膜前述dm卸cm分则设定在下列范围内: |
