| 主权项 |
1.一种半导体元件之电容下电极的制造方法,包括 下列步骤: 形成具有一第一接触窗开口的一第一绝缘层图案; 形成一接触窗插塞于该第一接触窗开口内; 形成一第二绝缘层图案于该第一绝缘层图案上,该 第二绝缘层图案具有一第二接触窗开口,暴露出该 接触窗插塞以及一部份之该第一绝缘层图案; 形成一保护层于该第二接触窗开口的一侧壁上以 及该第一绝缘层图案之一部份上; 接着形成作为该下电极之一导电层于该保护层上 与该接触窗插塞上; 移除该第二绝缘层图案;以及 部分移除该保护层,而该保护层之一部份会留在该 接触窗插塞附近。 2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第 一绝缘层图案具有一第一蚀刻速度会小于该第二 绝缘层图案的一第二蚀刻速度。 3.如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中该第 一绝缘层图案包括一硼磷矽化玻璃(BPSG)层,其中约 含重量百分比为3.5%至4.5%的硼以及3.3%至3.7%的磷, 而其中该第二绝缘层图案包括一BPSG层,约含重量 百分比为2.3%至2.7%的硼以及2.25%至2.65%的磷。 4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,进一步包 括: 在形成该第一绝缘层图案以后,进行一第一清洁步 骤;以及 在形成该第二绝缘层图案以后,进行一第二清洁步 骤。 5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中进行 该第一清洁步骤与进行该第二清洁步骤包括: 进行一清洁步骤,该步骤系选自使用一标准清洁1( SC-1)溶液之清洁步骤、使用一氢氟酸(HF)溶液之清 洁步骤、以及依序使用该氢氟酸溶液与该标准清 洁1(SC-1)溶液之清洁步骤其中之一。 6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,进一步包 括形成一间隙壁于该第一接触窗开口之一侧壁上 。 7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中在该 第一接触窗开口上的该侧壁上形成该间隙壁的步 骤包括: 形成一结构层于该第一接触窗开口之该侧壁与一 底面上以及该第一绝缘层图案上,其中该结构层包 括选自一氮化矽层、一氧化物层、以及包括氮化 矽与氧化物之一组合层其中之一的一结构层;以及 蚀刻该结构层。 8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,进一步包 括形成一蚀刻阻挡层于该第一绝缘层图案上与该 接触窗插塞上。 9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中形成 该蚀刻阻挡曾于该第一绝缘层图案上与该接触窗 图案上之步骤包括: 形成该蚀刻阻挡层的一结构层系选自一氮化矽层 、一氧化物层、以及包括氮化矽与氧化物之一组 合层其中之一。 10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,进一步 包括: 移除该蚀刻阻挡层。 11.如申请专利范围第10项所述之制造方法,其中移 除该蚀刻阻挡层的步骤包括: 假如该蚀刻阻挡层包括该氮化矽层的话,以使用一 磷酸溶液的一湿蚀刻步骤来移除该蚀刻阻挡层; 假如该蚀刻阻挡层包括该氧化物层的话,以使用一 含氟溶液的一湿蚀刻步骤来移除该蚀刻阻挡层; 假如该蚀刻阻挡层包括该组合层的话,以接续使用 该磷酸溶液以及该含氟溶液的一湿蚀刻步骤来移 除该蚀刻阻挡层。 12.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形 成一保护层包括: 形成选自一氮化矽层、一氧化铝层、以及包括氮 化矽与氧化铝之一组合层其中之一的一结构层。 13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中部 分移除该保护层,包括: 假如该保护层包括该氮化矽层的话,以使用一磷酸 溶液的一湿蚀刻步骤来移除该保护层; 假如该保护层包括该氧化铝层的话,以使用一含氟 溶液的一湿蚀刻步骤来移除该保护层; 假如该保护层包括该组合层的话,以接续使用该磷 酸溶液以及该含氟溶液的一湿蚀刻步骤来移除该 保护层。 14.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形 成该第二绝缘层图案包括用一乾蚀刻步骤与一湿 蚀刻步骤其中之一的步骤来形成该第二绝缘层图 案。 15.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该 第二绝缘层图案会被使用一含氟溶液的一湿蚀刻 步骤给移除。 16.如申请专利范围第1项所述之制造方法,进一步 包括: 形成具有一第三蚀刻速度的一第三绝缘层于该第 二绝缘层图案,其中该第三蚀刻速度小于该第二蚀 刻速度;以及 形成具有一第三接触窗开口的一第三绝缘层图案 暴露出一部份之该第二绝缘层图案,其中该第二接 触窗开口系透过蚀刻该第三绝缘层来形成,其中因 为第三蚀刻速度与该第二蚀刻速度之间的蚀刻速 度差异,该第三接触窗开口的一临界尺寸小于该第 二接触窗开口的一临界尺寸。 17.如申请专利范围第16项所述之制造方法,其中该 第三绝缘层包括一TEOS层。 18.如申请专利范围第16项所述之制造方法,其中形 成该第三绝缘层图案的步骤包括用一乾蚀刻步骤 与一湿蚀刻步骤其中之一的一步骤来形成该第三 绝缘层图案。 19.如申请专利范围第17项所述之制造方法,进一步 包括: 移除该第三绝缘层图案。 20.如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中移 除该第三绝缘层图案的步骤包括: 以使用一含氟溶液的一湿蚀刻步骤来移除该第三 绝缘层图案。 21.一种半导体元件之电容下电极,包括: 一接触窗插塞,形成于该基底上; 一节点,形成于该接触窗插塞上;以及 一保护层图案,形成于该接触窗插塞附近,其中该 接触窗插塞会与该节点电性连接,而该保护层图案 可以避免该接触窗插塞与一相邻的接触窗插塞之 间的一电性连接。 22.如申请专利范围第21项所述之电容下电极,其中 该保护层图案包括选自一氮化矽层、一氧化铝层 、以及包括氮化矽与氧化铝之一组合层其中之一 的一结构层。 23.如申请专利范围第21项所述之电容下电极,其中 该节点为一柱状。 24.如申请专利范围第21项所述之电容下电极,其中 该节点包括一上节点与一下节点,且其中该下节点 的一临界尺寸会大于该上节点的一临界尺寸。 图式简单说明: 第1图为一种习知的柱状电容器下电极的结构剖面 图。 第2A图与第2B图为习知的一种形成柱状电容器的下 电极之方法的结构剖面图。 第3A图至第3E图为依照本发明一实施例的一种柱状 电容器的下电极之制造方法的流程剖面图。 第4图为依照本发明另一实施例的一种柱状电容器 的下电极之临界尺寸的剖面放大图。 第5图与第6图为依照本发明再另一实施例的一种 具有一层保护层图案的柱状电容器下电极之制造 方法的剖面图。 第7A图至第7D图为依照本发明又再另一实施例的一 种DRAM元件的制作方法的流程剖面图。 |
