| 主权项 |
1.一种半导体多层配线板,系具有形成于半导体基 板上之下层配线层,及其上介着低介电常数之氧化 矽系层间绝缘层而形成之上层配线层,由上下贯通 该层间绝缘层之介层配线连接的半导体多层配线 之半导体多层配线板,其特征为 该低介电常数之氧化矽系层间绝缘层经双大马士 革制程形成有配线层形成空间,于该配线层形成空 间之内面形成有矽烷系单分子层膜,该单分子层膜 表面形成有镀膜,该镀膜上形成有铜镀层所成之配 线层。 2.如申请专利范围第1项之半导体多层配线板,其中 上述低介电常数之氧化矽系层间绝缘层系由旋涂 玻璃(SOG)材料构成。 3.如申请专利范围第1项或第2项之半导体多层配线 板,其中上述低介电常数之氧化矽系层间绝缘层系 介电常数3.5以下之材料。 4.如申请专利范围第1项或第2项之半导体多层配线 板,其中上述单分子层膜表面形成之镀膜,系Co系或 Ni系镀膜。 5.一种半导体多层配线板之形成方法,系具有形成 于半导体基板上之下层配线层,及其上介着低介电 常数之氧化矽系层间绝缘层形成之上层配线层,由 上下贯通该层间绝缘层之介层配线连接的半导体 多层配线之半导体多层配线板的形成方法,其特征 为包括, 于该基板上形成低介电常数之氧化矽系层间绝缘 层的层间绝缘层形成步骤, 于该低介电常数之氧化矽系层间绝缘层以双大马 士革法形成配线层形成空间之蚀刻步骤, 于该低介电常数之氧化矽系层间绝缘层表面形成 Si-OH结合所使用之处理步骤, 将该配线层形成空间之内面以有机矽烷化合物处 理使矽烷系单分子层膜密合之单分子层膜形成步 骤, 该单分子层膜以含钯化合物之水溶液使表面触媒 化之表面触媒化步骤, 于该触媒化单分子层膜以无电解镀层,于该单分子 层膜上形成防铜扩散性高之镀膜,得到防铜扩散膜 之防铜扩散膜形成步骤,以及 于该防铜扩散膜上形成铜镀层而得到配线层之配 线层形成步骤。 6.如申请专利范围第5项之半导体多层配线板之形 成方法,其中上述低介电常数之氧化矽系层间绝缘 层的形成步骤,系使用SOG材料进行。 7.如申请专利范围第5项或第6项之半导体多层配线 板之形成方法,其中于上述氧化矽系层间绝缘层表 面形成Si-OH结合所使用之处理步骤至少包含,氧化 矽系层间绝缘层于氧化性环境气体下以紫外线照 射之紫外线照射处理。 8.如申请专利范围第5项或第6项之半导体多层配线 板之形成方法,其中上述单分子层膜形成步骤之后 ,去除剩余之有机矽烷化合物,使下层配线层外露, 其次进行上述表面触媒化步骤。 9.如申请专利范围第5项或第6项之半导体多层配线 板之形成方法,其中上述无电解镀层系Co系或Ni系 镀层。 图式简单说明: 第1图 (a)至(d)系利用双大马士革制程的习知半导 体多层配线板形成方法之前半步骤的说明图。 第2图 (e)至(h)系利用双大马士革制程的习知半导 体多层配线板形成方法之后半步骤的说明图。 第3图 第2图(g)之重要部份的放大图。 第4图 用以说明本发明之特征构造,于已形成层间 绝缘层之配线层形成空间形成防扩散膜,更形成配 线层后的半导体多层配线板构造之重要部份放大 图。 第5图 以四探针法的防扩散特性评估方法图。 第6图 本发明的半导体多层配线板之防扩散膜对 于退火温度的电阻値变化图。 |
