| 主权项 |
1.一种用以封胶覆晶内连线的方法,其包含施加一 限量的封胶树脂到一积体电路晶片的该内连线侧, 然后将该晶片与一基板放在一起,其条件为藉由该 基板上的接合垫来促进该晶片的内连线侧上之凸 块的接合,其中该施加树脂到该晶片的步骤包含沉 浸该晶片的内连线侧到一树脂池中一预定的深度, 然后由该树脂池退出该晶片。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该晶片被沉浸 在该池中的预定深度接近于一凸块凸出高度,所以 该树脂池的表面接触于该晶片的一表面,因此当该 晶片由该树脂池退出时,一些量的树脂会保留在该 晶片表面,以及凸出该晶片表面的特征上。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中该晶片被沉浸 在该池中的预定深度系小于该凸块凸出高度,所以 该晶片表面并未接触该树脂池,其结果在当该晶片 由该树脂池退出时,一些量的树脂可仅保留在凸出 该晶片表面的特征上。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中施加树脂到该 晶片包含提供一具有底部的容器,其在该容器中提 供一树脂池为该容器底部之上一浅的深度,沉浸该 晶片到该树脂池中,所以该凸块会接触该容器底部 ,然后由该树脂池退出该晶片。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中在该容器底部 之上该池的浅深度接近于该凸块凸出高度。 6.如申请专利范围第4项之方法,其中在该容器底部 之上该池的浅深度系小于该凸出高度。 7.一种用以施加一精确量的封胶树脂到一积体电 路晶片的装置,其包含具有一底部的容器,及用以 在该容器底部之上散布一封胶树脂池到一预定的 深度的构件。 8.如申请专利范围第7项之装置,其中该容器系至少 足够地深,以容纳具有接近于该晶片上一凸块凸出 高度之预定深度的池。 9.如申请专利范围第7项之装置,其中用以散布该树 脂池的构件包含用以散布一量测的树脂量到该容 器内的构件。 10.如申请专利范围第7项之装置,其中用以散布该 树脂池的构件包含用以散布一过量树脂到该容器 内之构件,及用以移除该过量的构件。 图式简单说明: 图1-5所示为本发明方法之具体实施例之阶段的部 份横截面图。 |
