Etching composition having high etching selectivity, method of preparing the same, method of selectively etching an oxide film, and method of manufacturing a semiconductor device using the same,申请号KR20040000235-传众专利搜索

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发明名称	Etching composition having high etching selectivity, method of preparing the same, method of selectively etching an oxide film, and method of manufacturing a semiconductor device using the same
摘要
申请公布号	KR100558194(B1)	申请公布日期	2006.03.10
申请号	KR20040000235	申请日期	2004.01.05
申请人		发明人
分类号	H01L21/306	主分类号	H01L21/306
代理机构		代理人
主权项
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