发明名称 Single electron device, Method of manufacturing the same and Method of manufacturing Single electron device and MOS transistor simulataneously
摘要
申请公布号 KR100558287(B1) 申请公布日期 2006.03.10
申请号 KR20020078445 申请日期 2002.12.10
申请人 发明人
分类号 H01L27/088;H01L29/772;H01L21/335;H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/66;H01L29/76;H01L29/78;H01L29/786 主分类号 H01L27/088
代理机构 代理人
主权项
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