MIST型动态随机存取记忆格

摘要

一种具有混合槽沟叠层式电容器的动态随机存取记忆格及其形成方式被揭露；根据本创作，藉由使槽沟式电容器具有不同深度之槽沟深度而避免穿孔现象；再者，具有一较浅槽构之槽沟电容器不足的电容可以藉由使叠层式电容器的电极面积大于该具有较深槽构电容器的记忆格中之叠层式电容器的电极面积而补偿之，于是，易发生于叠层式电容器间之电偶合现象即得以避免，进而提供一能够适用于超大型集体电路的DRAM格。

主权项

1.一种具有一个单一电晶体与一个单一电容器的 动态随机 存取记忆格,其特征为:该电容器包含:一个槽构状 之槽 沟电容器,一个与该槽沟状电容器有垂直关系,并 装置在 该电晶体所要形成之地方上的叠层式电容器;该槽 构式电 容器的槽构深在设计上与一相邻记忆格的槽构式 电容器的 槽沟深不同,且该具有一较浅槽沟深度之第一个记 忆格的 叠层式电容器具有一较相邻第二个记忆格之电容 器还大的 电极面积。2.依据申请专利范围第1项所述之动态 随机存取记忆格, 其中含第一与第二记忆格的一对记忆格被设置于 一活性区 中,且第一个记忆格具有一槽构较浅,但电极面积 较大的 电容器,第二个记忆格具有一槽沟较深,但电极面 积较小