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In einem Halbleitersensor für eine dynamische Größe eines Kapazitätstyps sind ein Sensorchip (12) und ein Schaltungschip bzw. Mikroschaltungsbaustein (13) miteinander durch einen Haftfilm (16) verbunden, welcher eine Elastizität von 200 MPa oder weniger aufweist, um die Temperaturkenngröße zu verringern. Vier Bonddrähte (17) für eine Verbindung des Sensorchips (12) und des Schaltungschips (13) sind derart angeordnet, dass jeder der Bonddrähte an dem mittleren Abschnitt jedes Seitenabschnitts des Sensorchips (12) oder an jedem Eckenabschnitt des Sensorchips (12) lokalisiert ist, wodurch der Abstand der Bonddrähte (17) hinreichend erhöht wird und somit der absolute Wert der somit auftretenden parasitären Kapazität hinreichend verringert wird. Sogar dann, wenn die parasitäre Kapazität zwischen den vier Bonddrähten (17) sich ändert, ist daher die Änderung sehr klein, und somit kann der Einfluss auf die Sensorcharakteristik verringert werden.
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