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Es werden ein Halbleiterbauteil und ein Verfahren zu seiner Herstellung beschrieben. Das Halbleiterbauteil wird hergestellt als eines mit einer MOS-Steuerelektrodenseiten-Oberflächenstruktur, mit einem Halbleitersubstrat (1), einer Steuerelektrode (5), die gegebenenfalls einen in einem Halbleitersubstrat gebildeten Graben (3) unter Zwischenlage einer Isolierschicht (6) zwischen dem Graben und der Elektrode füllt, und weiterhin mit einer Steuerelektroden-Isolierschicht, die die Außenfläche der Steuerelektrode überdeckt, einer Pufferregion (10) des ersten Leitfähigkeitstyps in Berührung mit dem Halbleitersubstrat, einer Basisregion (8) des zweiten Leitfähigkeitstyps, angrenzend an die Pufferregion des ersten Leitfähigkeitstyps, auf der Steuerelektroden-Isolierschicht und einer Emitterregion (9) des ersten Leitfähigkeitstyps, angrenzend an die Basisregion des zweiten Leitfähigkeitstyps, auf der der Pufferregion des ersten Leitfähigkeitstyps gegenüberliegenden Seite. Das so bereitete Bauteil kann einen Kompromiß zwischen der EIN-Spannung und dem Ausschaltverlust verbessern, indem dort die Menge der von einer Kathode an einer Fläche zur Erhöhung der Ladungsmenge auf der Kathodenseite in stabilem Einschaltzustand des Bauteils ejizierten Elektronen erhöht wird.
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