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Die erfindungsgemäße Speicherzellenanordnung weist eine Mehrheit von Speicherzellen (MC) vom CBRAM-Typ und eine Programmiervorrichtung (P) auf, wobei die Speicherzellen (MC) entlang von Bitleitungen (BL) angeordnet sind und wobei jede Bitleitung (BL) eine Programmiervorrichtung (P) aufweist. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Programmiervorrichtung (P) eine (Chg) und eine schaltbare Ladevorrichtung (S; T¶L¶, T¶C¶) umfasst. Das erfindungsgemäße Verfahren zum Programmieren von Speicherzellen (MC) vom CBRAM-Typ wird so durchgeführt, dass in einem ersten Schritt eine gegebene Menge einer elektrischen Ladung (Q) in einer Ladungsspeichereinrichtung (Chg) gespeichert wird und dass die gespeicherte Menge elektrischer Ladung (Q) in einem zweiten Schritt auf die zu programmierende Speicherzelle (MC) übertragen wird.
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