Verfahren zu Herstellung eines monokristallinen Halbleiterwafers mit hochglanzpolierter Oberfläche, unter Benutzung eines Gasphasen-Ätz- und eines Aufwärm-Schrittes, und durch dieses Verfahren hergestellter Wafer,申请号DE1997631019T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zu Herstellung eines monokristallinen Halbleiterwafers mit hochglanzpolierter Oberfläche, unter Benutzung eines Gasphasen-Ätz- und eines Aufwärm-Schrittes, und durch dieses Verfahren hergestellter Wafer
摘要
申请公布号	DE69731019(T2)	申请公布日期	2006.03.09
申请号	DE1997631019T	申请日期	1997.03.26
申请人	SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.	发明人	OISHI, HIROSHI
分类号	H01L21/302;C30B33/00;H01L21/304;H01L21/3065	主分类号	H01L21/302
代理机构		代理人
主权项
地址