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Eine dünne Halbleiterscheibe 101, an der eine Oberflächenstruktur 133 und eine Unterflächenstruktur 134 gebildet sind, die Halbleiterchips ergeben, wird mit Hilfe eines doppelseitig klebenden Bands 137 auf einem Trägersubstrat 141 befestigt. Sodann wird auf dem dünnen Halbleitersubstrat 101 durch nasse anisotrope Ätzung ein Graben, der eine Kerblinie werden soll, so ausgebildet, daß als Seitenwand des Grabens eine Kristallfläche freigelegt wird. An dieser Seitenwand des Grabens mit der freigelegten Kristallfläche wird eine isolierende Trennschicht 145 zum Standhalten einer in Rückwärtsrichtung anliegenden Spannung bis zur Durchbruchspannung durch Ionenimplantierung und eine Wärmebehandlung bei mäßiger Temperatur oder eine Laser-Wärmebehandlung so gebildet, daß sie sich einerseits bis zur Oberseitenfläche erstreckt, während sie andererseits in Kontakt mit einer p-leitenden Kollektorregion 110 steht, die eine unterseitige diffundierte Schicht bildet. Eine Laserzerteilung wird so durchgeführt, daß eine Kollektorelektrode 111, die auf der p-leitenden Kollektorregion 110 sitzt, zusammen mit der p-Kollektorregion 110 sauber durchtrennt wird, ohne daß irgendwelche überstehenden Teile oder fehlenden Teile unter der Trennschicht 145 entstehen. Anschließend wird das doppelseitig klebende Band 137 von der Kollektorelektrode 111 abgelöst, wodurch die dünne Halbleiterscheibe 101 zu Halbleiterchips wird. Bei diesem Verfahren entstehen in hohem Maß zuverlässige, in Rückwärtsrichtung ...
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