| 发明名称 | 含有1,3－二羰基化合物的半导体去膜组合物 | ||
| 摘要 | 半导体晶片清洗剂，包括2-98重量％有机胺，0-50重量％水，0.1-60重量％1，3-二羰基化合物螯合剂，0-25重量％另外的不同螯合剂，0.5-40重量％含氮羧酸或亚胺，以及2-98重量％极性有机溶剂。该清洗剂用于从晶片上除去抗蚀剂等离子体灰化步骤后残留的残余物，例如从具有精密铜互连结构的半导体晶片上除去无机残余物。 | ||
| 申请公布号 | CN1244719C | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN01821356.1 | 申请日期 | 2001.12.04 |
| 申请人 | 高级技术材料公司 | 发明人 | 威廉·A·沃伊特恰克;法蒂玛·玛·塞约;戴维·伯恩哈德;朗·柬 |
| 分类号 | C23G5/036(2006.01);C09K13/02(2006.01);C11D9/04(2006.01) | 主分类号 | C23G5/036(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王维玉;丁业平 |
| 主权项 | 1.一种半导体晶片清洗剂，用在等离子体灰化制造半导体之后，其按所示的以清洗剂的总重量为基准的重量百分数范围含有下面的成分：有机胺 2-98％水 0-50％1，3-二羰基化合物螯合剂 0.1-60％另外的不同金属螯合剂 0-25％含氮羧酸或亚胺 0.5-40％极性有机溶剂 2-98％ 总计 100％。 | ||
| 地址 | 美国康涅狄格州 | ||