| 发明名称 | 大面积纳米启动宏电子衬底及其用途 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于具有多个半导体器件的电子衬底的方法和设备。纳米线薄膜形成在衬底上。纳米线薄膜形成具有足够的纳米线密度，从而实现工作电流值。在纳米线薄膜中限定多个半导体区。在半导体器件区中形成接触，由此提供到多个半导体器件的电连接。此外，还公开了用于制造纳米线的各种材料，包括p掺杂纳米线和n掺杂纳米线的薄膜、纳米线异质结构、发光纳米线异质结构、用于在衬底上定位纳米线的流体掩模、用于淀积纳米线的纳米线喷射技术、用于减少或消除纳米线中的电子的声子散射的技术，以及用于减少纳米线中的表面散射的技术。 | ||
| 申请公布号 | CN1745468A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN03825485.9 | 申请日期 | 2003.09.30 |
| 申请人 | 纳米系统公司 | 发明人 | 段镶锋;牛春明;斯蒂芬·恩培多克勒斯;琳达·T·罗马诺;陈建;维坚德拉·萨赫尔;劳伦斯·伯克;戴维·斯顿博;J·瓦利亚塞·帕克;热·L·戈德曼 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L29/06(2006.01);C01B31/02(2006.01);H03H11/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1、一种制造电子器件的方法，包括：(A)以薄膜形式在衬底上淀积多个纳米线；和(B)在衬底上形成第一和第二电接触，其中薄膜的至少一个纳米线将第一电接触耦合到第二电接触上。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||