| 发明名称 | 含有单氟乙撑桥键的液晶化合物及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了含有单氟乙撑桥键的液晶化合物及其制备方法。本发明所提供的含有单氟乙撑桥键的液晶化合物，具有式I的结构，其中，n为1－7的正整数；m为1－5的正整数。本发明液晶化合物的中心桥键上出现氟原子，制备方法简单，具有熔点低，宽液晶相温度范围和低粘度等特点，在液晶显示领域将具有广阔的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN1743414A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200510109069.9 | 申请日期 | 2005.10.17 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 唐洪;梁晓;王浩;蒋育冬 |
| 分类号 | C09K19/06(2006.01) | 主分类号 | C09K19/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 1、含有单氟乙撑桥键的液晶化合物，其结构式如式I，(式I)其中，n为1-7的正整数；m为1-5的正整数。 | ||
| 地址 | 100084北京市海淀区清华园 | ||