驱动电路

摘要

本发明提供一种即使自低压电源供给的电源电压VDD比推荐工作电源电压低，也能够防止CMOS输出部的穿通电流发生的驱动电路。该驱动电路包括：电平移位部(13)和CMOS输出部(14)，其中电平移位部(13)具有源极与高压电源连接、漏极与IN4连接、栅极与IN5连接的P型MOS晶体管(2)，源极与高压电源连接、漏极与IN5连接、栅极与IN4连接的P型MOS晶体管(3)，源极接地、漏极与IN4连接、栅极接收低压信号的N型MOS晶体管(5)，以及源极接地、漏极与IN5连接的N型MOS晶体管(6)；CMOS输出部(14)具有P型MOS晶体管(1)及N型MOS晶体管(4)；P型MOS晶体管(2)的驱动电流比N型MOS晶体管(5)的驱动电流大。

主权项

1、一种驱动电路，包括：电平移位部，该电平移位部具有：源极与高压电源连接、漏极与第一接点连接、栅极与第二接点连接的第一P型MOS晶体管，源极与上述高压电源连接、漏极与上述第二接点连接、栅极与上述第一接点连接的第二P型MOS晶体管，源极接地、漏极与上述第一接点连接、栅极接收第一信号的第一N型MOS晶体管，以及源极接地、漏极与上述第二接点连接、栅极接收第二信号的第二N型MOS晶体管；低电压控制部，该低电压控制部不仅与低压电源连接，还与上述第一N型MOS晶体管的栅极、上述第二N型MOS晶体管的栅极连接，根据输入信号，将上述第一信号输出到上述第一N型MOS晶体管的栅极，将上述第二信号输出到上述第二N型晶体管的栅极；以及推挽输出部，根据上述电平移位部的上述第一接点的信号和上述低压控制部输出的第三信号进行开关工作，上述第一P型MOS晶体管的驱动电流比上述第一N型MOS晶体管的驱动电流大。