发明名称 |
激光二极管的制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种激光二极管的制造方法。该方法包括:在衬底上至少依次形成下覆层、谐振层、上覆层、上接触层、上电极层和牺牲层;通过蚀刻所述牺牲层、所述上电极层、所述上接触层和预定深度的所述上覆层来形成脊部;通过蚀刻在所述脊部的两侧暴露的部分所述上电极层,暴露出所述上接触层的两顶表面和与其相对应的所述牺牲层的两底表面;形成具有开口的掩埋层,所述开口至少暴露出所述牺牲层的底表面的一部分,所述掩埋层形成在所述脊部的表面上以及从所述脊部延伸的所述上覆层的顶表面上;以及通过所述开口提供蚀刻剂,除去所述牺牲层和置于其上的一部分所述掩埋层。 |
申请公布号 |
CN1744396A |
申请公布日期 |
2006.03.08 |
申请号 |
CN200510070203.9 |
申请日期 |
2005.05.10 |
申请人 |
三星电机株式会社 |
发明人 |
金琏熙;崔光基;成演准 |
分类号 |
H01S5/22(2006.01);H01S5/00(2006.01) |
主分类号 |
H01S5/22(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种激光二极管的制造方法,该方法包括以下步骤:在衬底上至少依次形成下覆层、谐振层、上覆层、上接触层、上电极层和牺牲层;通过蚀刻所述牺牲层、所述上电极层、所述上接触层和预定深度的所述上覆层来形成脊部;通过蚀刻在所述脊部的两侧暴露的部分所述上电极层,暴露出所述上接触层的两顶表面和与其相对应的所述牺牲层的两底表面;形成具有开口的掩埋层,所述开口至少暴露出所述牺牲层的底表面的一部分,所述掩埋层形成在所述脊部的表面上以及从所述脊部延伸的所述上覆层的顶表面上;以及通过所述开口提供蚀刻剂,除去所述牺牲层和置于其上的一部分所述掩埋层。 |
地址 |
韩国京畿道 |