发明名称 |
图案形成方法 |
摘要 |
图案形成方法,它包括:在基片上形成碳原子含量≥80%(重量)的膜或气相淀积膜即下层膜的步骤;在下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤或在下层膜上形成密合性促进膜的步骤;在下层膜的表面上形成中间膜的步骤;在中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤;对抗蚀剂膜进行图案曝光形成抗蚀剂图案的步骤;将抗蚀剂图案复制到中间膜上形成中间膜图案的步骤;将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成下层膜图案的步骤。 |
申请公布号 |
CN1244956C |
申请公布日期 |
2006.03.08 |
申请号 |
CN01111758.3 |
申请日期 |
2001.03.23 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
佐藤康彦;盐原英志;佐藤基之;大西廉伸;富田宽;大岩德久;大内淳子;林久贵 |
分类号 |
H01L21/30(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/30(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
杜日新 |
主权项 |
1.一种图案形成方法,其特征在于包括:在基片上形成碳原子含量≥80重量%的下层膜或气相淀积的下层膜的步骤;在上述下层膜的表面上施行密合性促进处理的步骤;在施行了上述密合性促进处理的上述下层膜表面上形成中间膜的步骤;在上述中间膜上形成抗蚀剂膜的步骤;相对于上述抗蚀剂膜进行图案曝光,形成抗蚀剂图案的步骤;将上述抗蚀剂图案复制到上述中间膜上形成中间膜图案的步骤;将此中间膜图案复制到上述下层膜上而形成上述下层膜图案的步骤。 |
地址 |
日本神奈川县 |