| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是，在形成了Cu扩散防止膜的微细图案上形成Cu膜的情况下，通过使用超临界状态介质的清洗方法，对被处理基板上的该Cu扩散防止膜表面进行清洗，再使用超临界状态的介质进行Cu膜的成膜，使得Cu膜与微细图案的密合性良好，而且无空隙。本发明使用基板处理方法解决了上述课题，该方法其特征在于，包括：将包含超临界状态介质的第一处理介质供给被处理基板，对被处理基板表面上包含金属的膜进行清洗的第一工序；和将包含上述超临界状态介质的第二处理介质供给上述被处理基板，进行Cu膜成膜的第二工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1745193A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200380109304.1 | 申请日期 | 2003.12.26 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社;近藤英一 | 发明人 | 近藤英一;V·韦津;久保谦一;暮石芳宪;太田与洋 |
| 分类号 | C23C18/04(2006.01);C23C18/18(2006.01);C25D7/12(2006.01);H01L21/288(2006.01) | 主分类号 | C23C18/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种基板处理方法，其特征在于，具有：将包含超临界状态介质的第一处理介质供给被处理基板，然后对被处理基板表面上包含金属的膜进行清洗的第一工序；和将包含所述超临界状态介质的第二处理介质供给所述被处理基板，进行Cu膜成膜的第二工序。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||