| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有细微形状的半导体层的制造方法。另外，本发明提供一种不均匀少的半导体器件的制造方法。此外，本发明还提供一种通过使用少量原料可以减少成本，且能够制造高成品率的半导体器件的方法。本发明中，对半导体膜的一部分照射激光来形成绝缘层，接着用该绝缘层作为掩模蚀刻半导体膜，以形成具有所希望的形状的半导体层，从而制造使用该半导体层的半导体器件。在本发明中，不用众所周知的使用抗蚀剂的光刻步骤就能在预定区域中形成具有细微形状的半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN1744283A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200510103676.4 | 申请日期 | 2005.08.31 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 中村理;山本裕子;佐藤淳子 |
| 分类号 | H01L21/30(2006.01) | 主分类号 | H01L21/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成半导体膜；将激光束照射到所述半导体膜的一部分以在该半导体膜上形成氧化物层；使用所述氧化物层作为掩模蚀刻所述半导体膜以对其进行图案化。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||