发明名称 |
一种电子设备内电磁辐射源的测量方法和装置 |
摘要 |
一种电子设备内电磁辐射源的测量方法和装置,方法为:首先,在所有器件工作时,进行EMC辐射发射测试;然后,仅允许其中一个功能单元工作,进行EMC辐射发射测试,得到该功能单元产生的辐射发射;再分别仅允许一个功能单元中的一个器件工作,进行EMC辐射发射测试,分别得到不同器件的辐射电磁场强度曲线;通过上述方法可以得到每一个功能单元和每一个功能单元内的器件的辐射电磁场强度曲线;最后分析数据。装置包括控制界面单元、通讯接口单元、核心控制单元、供电控制单元、器件控制单元。本发明不但可以得到整个电子设备的辐射电磁场强度曲线,还可以达到快速定位电磁辐射源的目的。 |
申请公布号 |
CN1743856A |
申请公布日期 |
2006.03.08 |
申请号 |
CN200510034181.0 |
申请日期 |
2005.04.15 |
申请人 |
中兴通讯股份有限公司 |
发明人 |
于克泳;马光明;胡荣亮;邵国;刘嵘 |
分类号 |
G01R31/00(2006.01);G01R29/08(2006.01) |
主分类号 |
G01R31/00(2006.01) |
代理机构 |
深圳市永杰专利商标事务所 |
代理人 |
曹建军;陈小耕 |
主权项 |
1、一种电子设备内电磁辐射源的测量方法,包括以下步骤:第一步,在电子设备中的所有器件正常工作的情况下,进行一次EMC辐射发射测试;第二步,通过控制仅允许其中一个功能单元工作,进行一次EMC辐射发射测试,得到该功能单元所产生的辐射发射;第三步,通过控制分别仅允许第二步中所述的功能单元中的一个器件工作,进行EMC辐射发射测试,分别得到该功能单元中的不同器件的辐射电磁场强度曲线;第四步,用第二步和第三步方法,对每一个功能单元进行测试,直到对所有功能单元测试完毕;第五步,分析数据。 |
地址 |
518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦A座6层 |