| 发明名称 | 检测电容变化的方法和集成电路 | ||
| 摘要 | 公开了一种检测电容变化的方法和集成电路(IC)。为了解决现有技术中检测电容变化的灵敏度受到充电/放电单元的时间延迟td的影响而降低的问题，本发明采用了两个时分频率。更特别地，所述检测电容变化的方法包括步骤：产生对于电容变化的检测频率(fa)和滞后于检测频率(fa)k倍的检测频率(fb)，其中所述检测频率(fa和fb)基于时分格式；计算所述检测频率(fa和fb)以产生差分频率(fd)；计算所述差分频率的变化率；以及将所述差分频率的变化率与预定检测电平相比较，并且如果所述差分频率的变化率高于所述检测电平则输出表明电容变化的信号。因此，本发明可以提高检测电容变化的灵敏度。 | ||
| 申请公布号 | CN1743855A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200510090301.9 | 申请日期 | 2005.08.12 |
| 申请人 | 爱迪半导体株式会社 | 发明人 | 李相喆 |
| 分类号 | G01R27/26(2006.01) | 主分类号 | G01R27/26(2006.01) |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人 | 周建秋;王凤桐 |
| 主权项 | 1.一种检测电容变化的方法，包括步骤：产生对于电容变化的检测频率(fa)和滞后于检测频率(fa)k倍的检测频率(fb)，其中所述检测频率(fa和fb)基于时分格式；计算所述检测频率(fa和fb)以产生差分频率(fd)；计算所述差分频率的变化率；以及将所述差分频率的变化率与预定检测电平相比较，并且如果所述差分频率的变化率高于所述检测电平则输出表明电容变化的信号。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||