半导体器件的单元沟道离子的注入方法

摘要

本发明公开一种用于注入半导体器件的单元沟道离子的方法。根据该方法，使用一离子注入掩模对该单元区域中的位线接触区域以及沟道区域的邻近该位线接触区域的边缘部分执行两次选择性单元沟道注入工艺，而对该单元区域的其余部分则仅执行一次单元沟道注入工艺，以便将储存节点接触区域的杂质浓度保持在较低水平，从而使该储存节点接触区域的泄漏电流最小。

主权项

1.一种用于注入半导体器件的一单元沟道离子的方法，该半导体器件具有包括一单元区域的一半导体衬底，该方法包括执行一单元沟道离子注入工艺的步骤，其中在该单元区域的一第一部分中注入两次该单元沟道离子，而在该单元区域的一第二部分中注入一次该单元沟道离子，以使该第一区域的杂质浓度高于该第二区域的杂质浓度，其中该单元区域的该第一部分包括一位线接触区域以及一沟道区域的邻近该位线接触区域的一边缘部分，而该单元区域的该第二部分包括该单元区域的其余部分而不包括该单元区域的该第一部分。