发明名称 | 具有对角位线及双字线的高密度半导体存储器 | ||
摘要 | 具有对角位线及双字线结构的高密度半导体存储器。该存储器包括以行和列排列的存储器单元的存储器单元阵列及排列为沿存储器单元阵列水平方向变化图形的多个对角位线,以便访问所述存储器单元。位线排列不垂直多个双字线,每个双字线包括位于第一层上的主字线和位于第二层上的多个本地字线。本地字线通过多个隔开的电连接与公共行上的主字线相接,每个本地字线与多个存储器单元相连。所述电连接沿着存储器单元阵列以实际上与所述位线相同的图形延伸。 | ||
申请公布号 | CN1244932C | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
申请号 | CN98124323.1 | 申请日期 | 1998.09.29 |
申请人 | 西门子公司;国际商业机器公司 | 发明人 | 格哈德·米勒;桐畑敏明;海因茨·霍尼格施密德 |
分类号 | G11C11/40(2006.01) | 主分类号 | G11C11/40(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
主权项 | 1.一种半导体存储器,包括:成行成列地排列存储器单元的一个存储器单元阵列;多个被排列为一种图形的对角位线,该图形沿着所述存储器单元阵列在水平方向变化,以方便对所述存储器单元的访问;多个与位线不垂直的双字线,其中一个双字线包括一条在第一层的主字线和多个在第二层的本地字线,所述本地字线通过多个隔开的电连接与公共行的主字线相连,每个本地字线与多个存储器单元相连;其中所述电连接实际上分布为所述图形,该图形沿着所述存储器单元阵列在水平方向发生变化。 | ||
地址 | 联邦德国慕尼黑 |