| 发明名称 | 可测试静电放电保护电路 | ||
| 摘要 | 半导体管芯具有诸如功率MOSFET(308)的MOSFET的焊盘(301)和分开的用于ESD保护电路(306、307)的焊盘(302)。连接焊盘(301、302)到一起使得ESD保护电路(306、307)起到保护MOSFET(308)的作用。在连接焊盘到一起之前，ESD保护电路(306、307)和/或MOSFET(308)可以被分开地测试。当测试MOSFET(308)时可以使用高于运行的ESD保护电路允许的电压。诸如引线键合或在倒装片封装中将管芯连接至衬底的封装工艺可以在测试之后电连接焊盘(301、302)。 | ||
| 申请公布号 | CN1745477A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200380106923.5 | 申请日期 | 2003.12.19 |
| 申请人 | 先进模拟科技公司;先进模拟科技(香港)有限公司 | 发明人 | 理查德·威廉;迈克尔·康奈尔;陈伟钿 |
| 分类号 | H01L23/62(2006.01) | 主分类号 | H01L23/62(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括：制造管芯，所述管芯包括器件和静电放电保护电路，所述器件具有第一焊盘，所述静电放电保护电路具有第二焊盘；利用电连接至所述第一焊盘的测试系统测试所述器件；以及测试之后，连接所述第一焊盘和所述第二焊盘，其中所述静电放电电路在连接所述第一焊盘和所述第二焊盘之后起到保护所述器件免受静电放电破坏的作用。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||