| 发明名称 | 避免超浅结漏电的非晶化方法 | ||
| 摘要 | 一种避免超浅结漏电的非晶化方法，在半导体衬底上形成一个栅极，在半导体衬底中形成一个第一掺杂区。接着形成一个非晶化区域(amorphized region)，其中非晶化区域位于第一掺杂区的下方，并与第一掺杂区相邻。之后，在栅极的侧壁上形成一个间隙壁，再在半导体衬底中形成一个第二掺杂区，其中第二掺杂区与第一掺杂区与非晶化区域相邻。此非晶化区域可以避免第二掺杂区的掺杂剂扩散至第一掺杂区、造成超浅结产生漏电的危险。 | ||
| 申请公布号 | CN1744291A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200410054231.7 | 申请日期 | 2004.09.02 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 金平中 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01);H01L21/22(2006.01);H01L21/265(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L21/335(2006.01) |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 1.一种避免超浅结漏电的非晶化方法，包含：提供一个半导体衬底；在该半导体衬底上形成一个栅极；在该半导体衬底中形成一个第一掺杂区；在该半导体衬底中形成一个非晶化区域，其中该非晶化区域位于该第一掺杂区的下方，并与该第一掺杂区相邻；在该栅极的侧壁上形成一个间隙壁；及在该半导体衬底中形成一个第二掺杂区，其中该第二掺杂区与该第一掺杂区与该非晶化区域相邻。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||