| 发明名称 | 抗蚀图案的形成方法以及使用该方法的微细图案的形成方法以及液晶显示元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种抗蚀图案的形成方法，其具有：(A)在基体(10)上形成光致抗蚀被膜的工序、以及(B)经过包含选择性曝光的光刻工序使所述光致抗蚀被膜形成为具有厚壁部r1和薄壁部r2的阶梯状抗蚀图案形状的工序，其特征在于，使用含有(a)通过凝胶渗透色谱法测量的聚苯乙烯换算重均分子量超过8000的碱溶性酚醛清漆树脂、(b)含萘醌二叠氮基化合物、以及(d)有机溶剂的正型光致抗蚀剂组合物，形成所述光致抗蚀被膜。由此，可以形成耐蚀刻性以及耐热性出色的阶梯状的抗蚀图案。 | ||
| 申请公布号 | CN1743954A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200510084538.6 | 申请日期 | 2005.07.26 |
| 申请人 | 东京应化工业株式会社 | 发明人 | 森尾公隆 |
| 分类号 | G03F7/008(2006.01);G03F7/26(2006.01) | 主分类号 | G03F7/008(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱丹 |
| 主权项 | 1、一种抗蚀图案的形成方法，其具有：(A)在基体上形成光致抗蚀被膜的工序、以及(B)经过包含选择性曝光的光刻工序使所述光致抗蚀被膜形成为具有厚壁部和薄壁部的阶梯状抗蚀图案形状的工序，其特征在于，使用含有(a)通过凝胶渗透色谱法测量的聚苯乙烯换算重均分子量超过8000的碱溶性酚醛清漆树脂、(b)含萘醌二叠氮基化合物、以及(d)有机溶剂的正型光致抗蚀剂组合物，形成所述光致抗蚀被膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||