| 发明名称 | 多字元存储装置及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多字元存储装置及其形成方法，所述形成半导体装置的方法，包括：形成一栅极介电层以及一栅极电极于一半导体基底上，部分地移除该栅极介电层以形成由该栅极介电层分隔的两凹处且该两凹处实质上设置于该栅极电极下方，以及利用氧化层与材料层实质上填满该两凹处以形成两隔离区，以各自容纳一电荷。本发明所述的多字元存储装置及其形成方法，可避免电荷于两区域中扩散及合并，且使形成的装置容纳多于两个电荷。 | ||
| 申请公布号 | CN1744328A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200510093413.X | 申请日期 | 2005.08.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 朱文定;谢佳达;宋弘政 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1、一种形成半导体装置的方法，所述形成半导体装置的方法包括：形成一栅极介电层于一半导体基底上以及一栅极电极于该栅极介电层上方；部分地移除该栅极介电层以形成由该栅极介电层分隔的两凹处且该两凹处实质上设置于该栅极电极下方；以及利用氧化层与材料层实质上填满该两凹处以形成两隔离区以各自容纳电荷。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||