| 发明名称 | 外延基底和半导体元件 | ||
| 摘要 | 在肖特基二极管11中，氮化镓支撑底板13包括第一表面13a和与第一表面相反的第二表面13b，其载流子浓度大于1×10<SUP>18</SUP>cm<SUP>－3</SUP>。氮化镓外延层15放置在第一表面13a上。欧姆电极17放置在第二表面13b上。肖特基电极19放置在氮化镓外延层15上。氮化镓外延层15的厚度D1至少是5微米，但不大于1000微米。另外，氮化镓外延层15的载流子密度至少是1×10<SUP>14</SUP>cm<SUP>－3</SUP>，但不大于1×10<SUP>17</SUP>cm<SUP>－3</SUP>。 | ||
| 申请公布号 | CN1744326A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200510099023.3 | 申请日期 | 2005.08.31 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 木山诚;冈久拓司;樱田隆 |
| 分类号 | H01L29/38(2006.01);H01L29/417(2006.01);H01L29/861(2006.01);H01L29/772(2006.01);H01L29/732(2006.01) | 主分类号 | H01L29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 程金山 |
| 主权项 | 1、一种外延基底，其包括：氮化镓独立式基底，该基底包括第一表面和与所述第一表面相反的第二表面，并且其载流子浓度大于1×1018cm-3；和放置在所述第一表面上的第一氮化镓外延膜；其中：所述第一氮化镓外延膜的厚度至少是5微米，但不大于1000微米；且所述第一氮化镓外延膜的载流子浓度至少是1×1014cm-3，但不大于1×1017cm-3。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||