| 发明名称 | 用以读取与非易失性存储单元阵列的无源区域相邻的非易失性存储单元的改进方法 | ||
| 摘要 | 一种在包含了有源列(45b)与(45g)和无源(例如，有缺陷的)列(46c)与(45f)的存储单元(48)的阵列(30)内存储数据模式与再现该数据模式的方法，包括在该有源列(45b)和(45g)内存储该数据模式。确认无源存储单元编程模式(32)。该无源存储单元编程模式(32)识别在无源列(45c)和(45f)中所有的或选择的多个存储单元(48)，以将电荷存储在这些存储单元(48)中，以便周期性地将电荷存储于这些存储单元(48)中，防止在整体擦除期间过擦除和漏电至有源存储单元(48)中。 | ||
| 申请公布号 | CN1745434A | 申请公布日期 | 2006.03.08 |
| 申请号 | CN200480003139.6 | 申请日期 | 2004.01.08 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | E·夏;D·G·汉密尔顿;M－H·谢;E·朗宁;E·阿吉明;陈伯伶;M·W·伦道夫;何毅 |
| 分类号 | G11C29/00(2006.01);G11C16/34(2006.01);G11C16/04(2006.01) | 主分类号 | G11C29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种在非易失性存储单元阵列内存储数据模式和再现该数据模式的方法，该阵列包括第一有源列的存储单元，邻接第一无源列的存储单元，并与该第一无源列的存储单元共享一条位线，该方法包括：将电荷存储于该第一有源列内选择的多个该存储单元内，该选择的多个存储单元表示该输入数据模式的一部分；判定无源存储单元编程模式，该无源存储单元编程模式识别在该第一无源列中选择的将被存储电荷的多个存储单元，以便周期性地将电荷存储到第一无源列的该存储单元中以防止过擦除；将电荷存储于该第一无源列内该选择的多个该存储单元内；通过读取该第一有源列内的各存储单元，再现输入数据模式的部分；将该有源列内的所有存储单元和该无源列内的所有存储单元，连接到用来去除存储的电荷的电压电位。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||