| 主权项 |
1. 一种金属复晶矽化物闸极的制造方法,适用于一半导体基底上,该制造方法包括:依序形成一介电层、一复晶矽层、一四乙氧基矽甲烷氧化层和一金属层于该半导体基底上;进行一热退火处理使该金属层凝结成复数岛状聚结体,并于该四乙氧基矽甲烷氧化层内形成复数裂缝和凹坑;去除该金属层,以具有该等裂缝和凹坑之该四乙氧基矽甲烷氧化层做罩幕,蚀刻该复晶矽层表面成复数凹槽;以及形成一金属矽化层于该复晶层上,再以光学微影技术及蚀刻程序,蚀刻该金属矽化层和复晶矽层,而为一闸极叠层。2. 如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中,该复晶矽层是经杂质掺植而成,其掺植浓度为110@su1@su9至110@su2@su1/cm@su3间,掺植杂质为砷、磷和硼中之一者。3. 如申请专利范围第2项所述之制造方法,其中,该热退火处理系于温度700℃至900℃间进行5至60分钟的条件行之。4. 如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中,该金属层是金属钴和镍中之一者。5. 如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中,该金属矽化层是选自矽化钨、矽化钼和矽化钽等物所组成之群体。6. 如申请专利范围第5项所述之制造方法,其中,形成该金属矽化层于该复晶矽层上的方法,是以化学气相沈积法和物理气相沈积法中之一者行之。7. 如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中,该金属矽化层沈积于该复晶矽层上后,于该复晶矽层具有之该等凹槽间形成复数微孔洞。8. 如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中,该介电层是闸极氧化层。图示简单说明:第1A至1C图系显示习知之具有金属复晶矽化物做为闸极之电晶体的制造方法流程剖面图;以及第2A至2F图系显示本发明之具有金属复晶矽化物做为闸极 |
