| 主权项 |
1.一种积体电路记忆体包含:一阵列之铁电记忆体单元格;一感测放大器用以感测并放大储存在该些铁电记忆体单元格上之资料;一位元线用来将该些铁电记忆体单元格耦合至该感测放大器;及一参考电路被耦合至该感测放大器,而且该参考电路具有多个铁电参考单元格用来提供一参考电压。2.如申请专利范围第1项之积体电路记忆体,其中该些铁电参考单元格之数目为偶数,而且该些铁电参考单元格之第一半被极化成一种状态,而该些铁电参考单元格之第二半被极化成一种相反的状态。3.如申请专利范围第2项之积体电路记忆体,其中:该些铁电参考单元格之第一半被耦合到一第一参考位元线;该些铁电参考单元格之第二半被耦合到一第二参考位元线;及该参考电路包含一平衡电路连接到该第一参考位元线及该第二参考位元线,以便电子式地将该第一参考位元线耦合至该第二参考位元线。4.如申请专利范围第3项之积体电路记忆体,其中该平衡电路包含一n通道电晶体具有一源极连接到该第一参考位元线及一吸极连接到该第二参考位元线。5.如申请专利范围第3项之积体电路记忆体更包含:隔绝电路用来选择性地将该第一参考位元线或该第二参考位元线其中之一耦合至该感测放大器。6.一种积体电路记忆体包含:一感测放大器用来感测并放大储存在铁电记忆体单元格上之资料;一阵列之铁电记忆体单元格被耦合至该感测放大器;一参考电路包含两个铁电参考单元格,该些铁电参考单元格之第一个被极化成一状态,而该些铁电参考单元格之第二个被极化成相反的状态;一第一参考位元线被耦合至该第一个铁电参考单元格;一第二参考位元线被耦合至该第二个铁电参考单元格;一平衡电路被连接到该第一参考位元线及该第二参考位元线,以便电子式地耦合该第一参考位元线至该第二参考位元线;及一隔绝电路用以选择性地耦合该第一参考位元线或该第二参考位元线其中之一至该感测放大器。7.如申请专利范围第6项之积体电路记忆体,其中该平衡电路包含一n通道电晶体具有一源极连接到该第一参考位元线,及一吸极被连接到该第二参考位元线。8.如申请专利范围第6项之积体电路记忆体,其中该隔绝电路包含:一第一n通道电晶体具有一源极连接到该第一参考位元线,及一吸极连接到该感测放大器;及一第二n通道电晶体,具有一源极连接到该第二参考位元线,及一吸极连接到该感测放大器。9.一种方法用以产生一参考电压于一铁电记忆体电路中,该方法包含如下步骤:耦合一第一铁电参考单元格至一第一参考位元线,该第一铁电参考单元储存一第一逻辑状态;读取该第一铁电参考单元格,使得一电压被分配在该第一参考位元线上而代表该第一逻辑状态;耦合一第二铁电参考单元格至一第二参考位元线,该第二铁电参考单元储存一第二逻辑状态;读取该第二铁电参考单元格,使得一电压被分配在该第二参考位元线上而代表该第二逻辑状态;及电子式地耦合该第一参考位元线至该第二参考位元线以产生该参考电压。10.一种方法用以读取一铁电记忆体,该记忆体包含多个铁电记忆体单元格及一感测放大器,该方法包含下列之步骤:选择性地耦合该些铁电记忆体单元格其中之一至一位元线;提供一电压至该些铁电记忆体单元格其中之该一个的一板上,使得被分配在该位元线上之一电压代表储存在该些铁电记忆体单元格中之该一个上之资料;耦合该位元线至该感测放大器;利用多个铁电参考单元格而产生一参考电压;及电子式地耦合该参考电压至该感放大器。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该用来产生该参考电压之步骤包含下列步骤:将一第一铁电参考单元格耦合至一第一参考位元线,该第一铁电参考单元格储存一第一逻辑状态;将一第二铁电参考单元格耦合至一第二参考位元线,该第二铁电参考单元格储存一第二逻辑状态;读取该第一及第二铁电参考单元格;及将该第一及第二位元线电子式地耦合在一起。12.如申请专利范围第11项之方法更包含下列步骤:恢复该第一铁电参考单元格成第一逻辑状态;及恢复该第二铁电参考单元格成第二逻辑状态。13.如申请专利范围第11项之方法更包下列步骤:在第一时钟周期时,恢复该些铁电记忆体单元格其中之一;及在该第一时钟周期时,恢复该第一及第二参考单元格。图示简单说明图1系一铁电电容器之磁滞曲线;图2系一老化的铁电电容器之磁滞曲线;图3系一铁电记忆体,于每一记忆体单元格中具有两个电容器;图4系一铁电记忆体阵列之一部分,具有一折叠位元线结构及单一端参考电路;图5系合并本发明之一记忆体的方块图;图6系一铁电记忆体阵列之一部分,具有如图4所示之一折叠位元线结构及单一端参考电路;图7系一个用以存取一铁电记忆体单元格之时钟的板方法之一时序图;图8系一个用以存取一铁电记忆体单元格之脉波的板方法之一时序图;图9及10系图5之记忆体中一对位元线及相关的电路之概略图;图11系一时序图,用以显示出图9及10之概略的参考电路之操作;及图12系一时序图,用以显示出图9及10之概略的参考电荷 |
