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经营范围
发明名称
phase change memory device and method of fabricating the same
摘要
申请公布号
KR100558491(B1)
申请公布日期
2006.03.07
申请号
KR20030075669
申请日期
2003.10.28
申请人
发明人
分类号
H01L27/10
主分类号
H01L27/10
代理机构
代理人
主权项
地址
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