PNP type bipolar transistor

摘要

Der Bipolartransistor vom pnp-Typ hat eine hochdotierte, p-leitende Emitterzone (8), eine Basiszone (7) und eine Kollektorzone (11) sowie eine vergrabene, n-leitende Zone (12), die unterhalb der Emitterzone angeordnet ist und einen weiteren Bereich (10) mit p-Leitfähigkeit, der von der hochdotierten Emitterzone (8) in Richtung zu der vergrabenen Zone (2) reicht. <IMAGE>