DISPOSITIF DE COMMANDE D'UN TRANSISTOR DE PUISSANCE

摘要

L'invention concerne un dispositif de commande de grille 10 d'un composant semiconducteur de puissance 11 de type IGBT. Un circuit générateur de rampe 20 fournit en sortie une tension de grille de référence. Un étage d'amplification en courant de ladite tension de référence délivre un courant de grille du composant de puissance, cet étage d'amplification comprenant un circuit d'amorçage 30 et un circuit d'extinction rapide 40. Un circuit d'extinction lente 50 est connecté entre la grille G du composant de puissance et la sortie du circuit générateur. Un circuit de détection 60 d'une tension Collecteur-Emetteur du composant est connecté à un circuit de retour 70 lequel fournit un signal de retour 71 agissant sur le circuit d'extinction rapide 40 et sur la sortie 22 du circuit générateur.