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发明名称 Double gate field effect transistor and manufacturing method for the same
摘要
申请公布号 KR100555518(B1) 申请公布日期 2006.03.03
申请号 KR20030064153 申请日期 2003.09.16
申请人 发明人
分类号 H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/84;H01L27/12;H01L29/786 主分类号 H01L27/092
代理机构 代理人
主权项
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