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发明名称 STORAGE NODE ELECTRODE HAVING A SIGE LAYER PATTERN AND METHOD OF FORMING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060019143(A) 申请公布日期 2006.03.03
申请号 KR20040067633 申请日期 2004.08.26
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 NO, JIN TAE;KIM, HEE SEOK;AHN, JAE YOUNG;KIM, JIN GYUN;LIM, JU WAN
分类号 H01L27/108;H01L21/8242 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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