发明名称 Reaktiver Sputterprozess zur Optimierung der thermischen Stabilität dünner Chalkogenidschichten
摘要 <p>Chalkogenidschicht der Zusammensetzung M¶m¶X¶1-m¶, wobei M aus einem oder mehreren Elementen bzw. Metallen aus der Gruppe, bestehend aus IVb-Gruppe des Periodensystems, Vb-Gruppe des Periodensystems, und Übergangsmetallen ausgewählt ist, X ein Element oder mehrere Elemente der Gruppe S, Se und Te bedeutet und m einen Wert zwischen 0 und 1 aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Chalkogenidschicht einen Gehalt an Sauerstoff oder Stickstoff im Bereich von 0,001 at% bis 75 at% aufweist.</p>
申请公布号 DE102004041905(A1) 申请公布日期 2006.03.02
申请号 DE20041041905 申请日期 2004.08.30
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 PINNOW, CAY-UWE;HAPP, THOMAS
分类号 C23C14/10;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/18 主分类号 C23C14/10
代理机构 代理人
主权项
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