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Es wird ein Halbleiterfarbsensor offenbart, der ohne die Verwendung von Farbfiltern implementiert ist. Eine Herstellung von Photodioden unter Verwendung verschiedener Halbleitermaterialien liefert Photodioden mit unterschiedlichen Empfindlichkeiten gegenüber Wellenlängen. Ein erstes Ausführungsbeispiel verwendet Photodioden mit unterschiedlichen Übergangstiefen. Eine flache Übergangstiefe erzeugt eine Photodiode, deren Empfindlichkeitsspitze bei kürzeren Wellenlängen liegt, während eine größere Übergangstiefe eine Photodiode erzeugt, deren Empfindlichkeitsspitze bei längeren Wellenlängen liegt. Es können amorphe sowie kristalline Strukturen verwendet werden. Ein zweites Ausführungsbeispiel verwendet Photodioden mit unterschiedlichen Materialien, z. B. Silizium-Germanium (SiGe), das eine Spitzenempfindlichkeit bei längeren Wellenlängen aufweist, und Silizium (Si), das im Vergleich eine Spitzenempfindlichkeit bei kürzeren Wellenlängen aufweist. Es können mehr als zwei Photodioden verwendet werden, die unterschiedliche Wellenlängenempfindlichkeiten aufweisen. Ein Erfassen von Stromverhältnissen zwischen Paaren von Dioden ermöglicht, dass die Farbbalance aufrechterhalten wird.
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