| 摘要 |
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Speicherbauelementen mit Speicherzellen auf der Basis eines in seinem Phasenzustand änderbaren aktiven Materials einer aktiven Schicht (AS), die zwischen einer unteren Elektrode (BE) und einer oberen Elektrode (TE) eingeschlossen ist. Um die zum Programmieren und Löschen des Speicherelements notwendige Stromstärke für den Programmierstrom (ISET) und den Löschstrom (IRESET) und damit die zur Änderung des Phasenzustands notwendige Wärmemenge zu reduzieren, schlägt die Erfindung vor, eine nanoporöse Aluminiumoxidschicht als Maske bei der Herstellung der aktiven Schicht (AS) bzw. der Interfaces zu den Elektroden (BE und TE) zu verwenden. Gemäß einem Aspekt des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens dient die nanoporöse Aluminiumoxidschicht als Positivmaske, gemäß einem zweiten Aspekt als Negativmaske für die nachfolgende Abscheidung der aktiven Schicht (AS) oder wird gemäß einem dritten Aspekt direkt als isolierende Stromapertur genutzt. Für diese Technik werden nur CMOS-kompatible Materialien und Prozesse verwendet. Dabei kann die Kontaktfläche zwischen Elektrode und aktiver Schicht nahezu beliebig eingestellt werden, indem die Prozessparameter der Aluminiumoxidmaske variiert werden. Da die typische Zellfläche der Speicherzelle wesentlich größer ist als der mittlere Durchmesser der Nanoporen ergibt sich aus produktionstechnischer Sicht eine gute Homogenität und Reproduzierbarkeit der Kontakte. |
