Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiterscheiben aus Silizium und derartige Halbleiterscheiben

摘要

Gegenstand der Erfindung ist das Verfahren zur Herstellung von dotierten Halbleiterscheiben aus Silizium, die einen elektrisch aktiven Dotierstoff wie Bor, Phosphor, Arsen oder Antimon enthalten, gegebenenfalls zusätzlich mit Germanium dotiert sind und eine bestimmte Wärmeleitfähigkeit aufweisen, wobei ein Einkristall aus Silizium hergestellt und zu Halbleiterscheiben weiterverarbeitet wird, und die Wärmeleitfähigkeit durch eine Auswahl der Konzentration des elektrisch aktiven Dotierstoffs und gegebenenfalls durch die Konzentration von Germanium eingestellt wird. Gegenstand der Erfindung sind auch mit dem Verfahren hergestellte Halbleiterscheiben aus Silizium mit bestimmten Eigenschaften bezüglich der Wärmeleitfähigkeit und des spezifischen elektrischen Widerstands.