| 主权项 |
1.一种用于处理基板(3)之方法,基板在处理流体(9)中,且可藉一升降装置举升及降下,其特征为,基板(3)与一第一存放器(1)至少是部分可以被从处理流体(9)中举出,而且随后被一第二存放器(2)接收。2.根据申请专利范围第1项所述之用于处理基板之方法,其特征为,第二存放器(2)在接收基板(3)之前已被脱乾。3.根据申请专利范围第1或2项所述之用于处理基板之方法,其特征为,在第一存放器(1)将基板(3)转移至第二存放器(2)时,基板区域仍浸在处理流体(9)中,而且在转移之后,第二存放器(2)将基板区域完全的举出处理流体。4.根据申请专利范围第1项所述之用于处理基板之方法,其特征为,第一及第二存放器(1.2)在垂直方向上可相对相互运动。5.根据申请专利范围第1项所述之用于处理基板之方法,其特征为,在基板(3)最低位置(10)之滴粒被一滴粒导出元件(4)导出。6.根据申请专利范围第1项所述之用于处理基板之装置,其特征为,基板(3)在上料时被放置在第二存放器(2)之内部或上方。7.根据申请专利范围第1项所述之用于处理基板之方法,其特征为,基板(3)在下料时被从第二存放器(2)中取出。8.用于处理基板(3)之装置,基板在一处理流体(9)内,具一升降装置,其特征为,有一第一存放器(1),用于至少将基板(3)之部分从处理流体(9)中举出,及一第二存放器(2),用于在第一存放器(1)至少是部分举出时,接收基板(3)。9.根据申请专利范围第8项所述之用于处理基板之装置,其特征为,第二存放器(2)在接收基板时是乾燥的。10.根据申请专利范围第8或9项所述之用于处理基板之装置,其特征为,有一滴粒导出元件(4),其与基板(3)之最低位置(10)有接触。11.根据申请专利范围第8项所述之用于处理基板之装置,其特征为,基板(3)是长方形的,且基板(3)之最低位置(10)是基板(3)之一角。12.根据申请专利范围第8项所述之用于处理基板之装置,其特征为,第一及第二存放器(1.2)各与一运送平台相连接。13.根据申请专利范围第12项所述之用于处理基板之装置,其特征为,各运送平台或是第一及第二存放器(1.2),在垂直方向可作相互之相对运动。14.根据申请专利范围第8或9项所述之用于处理基板之装置,其特征为,运动过程及/或运送平台之升降速度,以及其相对运动及/或相互之相对速度可以至少一控制曲线加以控制。15.根据申请专利范围第8项所述之用于处理基板之装置,其特征为,基板(3)及/或第一及/或第二存放器(1.2)在从处理流体(9)驶出时,以一气体加以吹袭。16.根据申请专利范围第15项所述之用于处理基板之装置,其特征为,所使用之气体是异丙醇,氮气或是由其组成之混合气体。图式简单说明:第一图为第一及第二存放器位在处理流体之上、以接收要加以处理之基板之示意图,第二图显示第一、第二存放器及基板位于处理流体内之位置,第三图显示基板被第一存放器固持,而且部分已被从处理流体中举出之位置,第四图显示基板继续被从处理流体中举出,而且自此被第二存放器固持之位置,第五图显示基板继续被从处理流体中举出之位置,第六图显示一与第一图相当之位置。 |
